Monolithic integration of multi-wavelength light emitter By vapor-diffusion-dominated selective-area growth

通过蒸汽扩散主导的选择性区域生长单片集成多波长光发射器

• 批准号: 20686022
• 负责人: SUGIYAMA Masakazu
• 金额: $ 16.31万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20686022/
• 关键词: InGaN; MOVPE; 選択成長; 多重量子井戸; 発光ダイオード; 波長シフト; 有機金属気相成長; GaN; 発光波長制御; 多色集積

Selective-area growth (SAG) of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs), taking advantage of the vapor-phase diffusion of layer precursors with the use of wide (more than 100μm in width) masks, has been investigated in order to achieve in-plane modulation of light-emission wavelength. The mechanism behind such wavelength modulation has been explored through the analysis of the SAG of GaN, InN and InGaN bulk layers. Aiming at a wider range of wavelength modulation, a GaN hexagonal pyramid, with tailored mask width surrounding it, has been adopted and InGaN/GaN MQWs have been grown on the semi-polar surfaces on the pyramids. A multi-wavelength light emitter has been fabricated on the basis of this approach.

为了实现光发射波长的平面内调节，已经研究了INGAN/GAN多个量子井（MQW）的选择性区域生长（SAG），利用层前体的蒸气 - 相位前体的蒸气 - 相位扩散（超过100μm的掩模）。通过分析Gan，Inn和Ingan散装层的下垂，已经探索了这种波长调制背后的机制。针对广泛的波长调制，已采用GAN六角形金字塔，并具有量身定制的面膜宽度，并且已被采用，Ingan/Gan MQW已在金字塔上的半极性表面上生长。基于这种方法，已经制造了多波长的发射极。

项目成果

Role of vapor-phase diffusion in selective-area MOVPE of InGaN/GaN MQWs

InGaN/GaN MQW 选择性区域 MOVPE 中气相扩散的作用

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Crystal Growth 311
• 作者: Yuki Tomita;Tomonari Shioda;Masakazu Sugiyama;Yukihiro Shimogaki;Yoshiaki Nakano
• 通讯作者: Yoshiaki Nakano

MOVPE選択成長におけるInN成長速度分布の解析

MOVPE选择性生长中InN生长速率分布分析

• 发表时间: 2008
• 作者: 塩田倫也;杉山正和;霜垣幸浩;中野義昭
• 通讯作者: 中野義昭

選択MOVPEにおけるInGaN量子井戸発光波長シフトの起源(Origin of shift in luminescence wavelength from InGaN quantum wells in selective-area MOVPE)

选择性区域 MOVPE 中 InGaN 量子阱发光波长偏移的起源

• 发表时间: 2008
• 作者: 富田祐貴;塩田倫也;杉山正和;霜垣幸浩;中野義昭
• 通讯作者: 中野義昭

選択MOVPEにおけるInGaN量子井戸発光波長シフトに対する井戸厚の効果(Well thickness effect in luminescence wavelength from InGaN quantum wells in selective-area MOVPE)

选择性区域MOVPE中InGaN量子阱的发光波长的阱厚度效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 富田祐貴;塩田倫也;霜垣幸浩;中野義昭;杉山正和
• 通讯作者: 杉山正和

マルチスケール製膜速度分布を用いたGaN MOVPE反応機構の解析

利用多尺度沉积速率分布分析GaN MOVPE反应机理

• 发表时间: 2009
• 作者: 杉山正和;安河内諭;塩田倫也;霜垣幸浩;中野義昭
• 通讯作者: 中野義昭