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Growth of high-quality thick InGaN by raised-pressure MOVPE
通过升压 MOVPE 生长高质量厚 InGaN
基本信息
- 批准号：22246004
- 负责人：
- 金额：$ 31.53万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
MOVPE reactor having two buffer tanks for the supply of pressurized TMGa and TMIn, has been operated from 1 atm to 10 atm. It was found that with increasing the reactor pressure, thermal conductivity of the gas increases, thus metalorganic precursors were fully decomposed before reaching the substrate. Therefore, reactor was redesigned and repaired. Then, we can successfully grow high In content InGaN at raised pressure. InGaN based-quantum wells grown at 6 atm shows emission wavelength longer than 120 nm compared with that grown at 1 atm.
MOVPE反应器有两个用于供应加压TMGa和Tmin的缓冲罐，已从1大气压运行到10大气压。研究发现，随着反应压力的增加，气体的导热系数增加，金属有机前驱体在到达衬底之前被完全分解。为此，对反应器进行了重新设计和维修。然后，我们可以在加压下成功地生长出高含量的InGaN。与在1个大气压下生长的InGaN基量子阱相比，在6个大气压下生长的InGaN基量子阱的发射波长大于120 nm。
项目成果
期刊论文数量（29）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
紫外～赤色LED究極効率を目指した窒化物半導体結晶成長技術
氮化物半导体晶体生长技术旨在实现紫外至红光 LED 的终极效率
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：天野浩;本田善央;山口雅史
- 通讯作者：山口雅史
In and Impurity Incorporation in InGaN
InGaN 中的 In 和杂质掺入
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Sliwa;S.Aloise;Z.Pawlowska;N.Mouton;B.Debus;C.Ruckebusch;Anna de Juan;J.Abe;川井 清彦;H. Amano
- 通讯作者：H. Amano
Recent Developments and Future Prospects of LED Technologies for Displays and General Lighting
用于显示器和普通照明的 LED 技术的最新发展和未来展望
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Okamoto;et al;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
Strain relaxation in thick (1-101) InGaN grown on GaN/Si substrate
在 GaN/Si 衬底上生长的厚 (1-101) InGaN 中的应变弛豫
- DOI：10.1002/pssb.201100445
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Tanikawa;Y.Honda;M.Yamaguchi;H.Amano;N.Sawaki
- 通讯作者：N.Sawaki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Physics of highly polarized semiconductors and their application to deep ultraviolet light emitting devices
高偏振半导体物理及其在深紫外发光器件中的应用
- 批准号：
25000011 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 31.53万 - 项目类别：
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实际引进本土植绥螨建立果树红蜘蛛防治管理方案
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高温有机金属气相外延减少超宽禁带半导体AlN缺陷及器件应用
- 批准号：
15206003 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 31.53万 - 项目类别：
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引入并利用本土植绥螨对红蜘蛛的生物防治研究。
- 批准号：
14360026 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 31.53万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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本土植绥螨的物种结构和丰度及其作为生物防治剂的研究
- 批准号：
11660043 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 31.53万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Reduction of threading dislocations in group III nitride grown by vapor phase epitaxy and in-situ monitoring of the grown-in stress
通过气相外延生长的 III 族氮化物中的螺纹位错的减少和生长应力的原位监测
- 批准号：
11450131 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 31.53万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
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GaN衬底上III族氮化物半导体低维结构的制备及性能研究
- 批准号：
07650025 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 31.53万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)