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An realistic improvement of reactor design to enhance ammonia decomposition rate for high quality high In content InGaN MOVPE growth

An realistic improvement of reactor design to enhance ammonia decomposition rate for high quality high In content InGaN MOVPE growth
对反应器设计进行实际改进，以提高氨分解速率，实现高质量高 In 含量 InGaN MOVPE 生长
批准号：
16K06260
负责人：
Nitta Shugo
金额：
$3.0万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06260/
关键词：
InGaNMOVPENH3アンモニア分解LEDMOCVD長波長窒化物半導体LDMOVPE/MOCVDNH3/アンモニアV/III比結晶成長電子・電気材料表面・界面物性半導体物性

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In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry
通过高分辨率质谱对氮化物半导体金属有机气相外延进行在线 NH3 反应物分析
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Nitta, K. Nagamatsu, R. Miyagoshi, Z. Ye, H. Nagao, S. Miki, H. Y. Honda and H. Amano]
通讯作者： H. Y. Honda and H. Amano
The effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
晶圆周围环境温度对有机金属气相外延生长InGaN的影响
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano]
通讯作者： and Hiroshi Amano
Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
GaN衬底的取向差角对金属有机气相外延生长高铟含量InGaN的影响
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano]
通讯作者： and Hiroshi Amano
Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028
发表时间： 2019-02-15
期刊： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子： 1.8
作者： [Liu, Zhibin, Nitta, Shugo, Amano, Hiroshi]
通讯作者： Amano, Hiroshi
共 9 条
    国内基金
    海外基金
    Si基N极性Ga(Al)N薄膜MOVPE生长的极性控制及表面动力学过程研究
    • 批准号：
      62004049
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      李成果
    • 依托单位：
      广东省科学院半导体研究所
    InN基窄带隙半导体材料的加压MOVPE生长与物性研究
    • 批准号：
      61106003
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      张源涛
    • 依托单位：
      吉林大学
    MOVPE长波长InAs/GaAs量子点及其激光器件的研究
    • 批准号：
      60476009
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      23.0万元
    • 批准年份：
      2004
    • 负责人：
      朱洪亮
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    锑化镓及其固溶体的MOVPE热力学分析与生长
    • 批准号：
      69376008
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      6.5万元
    • 批准年份：
      1993
    • 负责人：
      陆大成
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所