An realistic improvement of reactor design to enhance ammonia decomposition rate for high quality high In content InGaN MOVPE growth
对反应器设计进行实际改进,以提高氨分解速率,实现高质量高 In 含量 InGaN MOVPE 生长
基本信息
- 批准号:16K06260
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry
通过高分辨率质谱对氮化物半导体金属有机气相外延进行在线 NH3 反应物分析
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Nitta;K. Nagamatsu;R. Miyagoshi;Z. Ye;H. Nagao; S. Miki;H. Y. Honda and H. Amano
- 通讯作者:H. Y. Honda and H. Amano
The effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
晶圆周围环境温度对有机金属气相外延生长InGaN的影响
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Zhibin Liu;Shugo Nitta;Shigeyoshi Usami;Kentaro Nagamatsu;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
- 通讯作者:and Hiroshi Amano
Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
GaN衬底的取向差角对金属有机气相外延生长高铟含量InGaN的影响
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Zhibin Liu;Shugo Nitta;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;Markus Pristovsek;and Hiroshi Amano
- 通讯作者:and Hiroshi Amano
Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028
- 发表时间:2019-02-15
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Liu, Zhibin;Nitta, Shugo;Amano, Hiroshi
- 通讯作者:Amano, Hiroshi
The effect of the environment temperature of the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
晶圆环境温度对有机金属气相外延生长InGaN的影响
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Zhibin Liu;Shugo Nitta;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;Markus Pristovsek;and Hiroshi Amano;Zhibin Liu;Shugo Nitta;Zhibin Liu;Zhibin Liu
- 通讯作者:Zhibin Liu
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Nitta Shugo其他文献
指数定理を用いた超伝導近接効果の研究
利用指数定理研究超导邻近效应
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kumabe Takeru;Watanabe Hirotaka;Ando Yuto;Tanaka Atsushi;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;池谷 聡 - 通讯作者:
池谷 聡
Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO
使用 MgO 通过 HVPE 生长掺镁 GaN 的气相反应的热力学分析
- DOI:
10.35848/1347-4065/aba0d5 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Kimura Tomoya;Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Araidai Masaaki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Kangawa Yoshihiro;Shiraishi Kenji - 通讯作者:
Shiraishi Kenji
“Regrowth-free” fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration
“无再生”制造具有 N-p-n 配置的高电流增益 AlGaN/GaN 异质结双极晶体管
- DOI:
10.35848/1882-0786/ac6197 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Kumabe Takeru;Watanabe Hirotaka;Ando Yuto;Tanaka Atsushi;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi - 通讯作者:
Amano Hiroshi
Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy
蓝宝石衬底上有机金属气相外延生长六方氮化硼薄膜的界面非晶化
- DOI:
10.7567/apex.11.051002 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Yang Xu;Nitta Shugo;Pristovsek Markus;Liu Yuhuai;Nagamatsu Kentaro;Kushimoto Maki;Honda Yoshio;Amano Hiroshi - 通讯作者:
Amano Hiroshi
Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO
利用 MgO 卤化物气相外延 p 型掺镁 GaN
- DOI:
10.35848/1882-0786/ab9166 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi - 通讯作者:
Amano Hiroshi
Nitta Shugo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似国自然基金
Si基N极性Ga(Al)N薄膜MOVPE生长的极性控制及表面动力学过程研究
- 批准号:62004049
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
InN基窄带隙半导体材料的加压MOVPE生长与物性研究
- 批准号:61106003
- 批准年份:2011
- 资助金额:30.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
MOVPE长波长InAs/GaAs量子点及其激光器件的研究
- 批准号:60476009
- 批准年份:2004
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:面上项目
锑化镓及其固溶体的MOVPE热力学分析与生长
- 批准号:69376008
- 批准年份:1993
- 资助金额:6.5 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
Study on deep ultraviolet LEDs with the wavelength of 220nm by Jet gas stream MOVPE
喷射气流MOVPE研究波长220nm深紫外LED
- 批准号:
22H01973 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low dislocation AlN growth by super high temperature MOVPE in jet engine model
喷气发动机模型中超高温 MOVPE 低位错 AlN 生长
- 批准号:
20K21006 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
MOVPE growth of Sb-containing alloys for strategic short-wave and mid-wave infrared applications
用于短波和中波红外战略应用的含锑合金的 MOVPE 生长
- 批准号:
2429309 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Studentship
In-situ characterization of MOVPE growth dynamics and of diffusion mechanisms in nitrides and their influence on optoelectronic properties of InGaN/AlGaN/GaN quantum structures
MOVPE 生长动力学和氮化物扩散机制的原位表征及其对 InGaN/AlGaN/GaN 量子结构光电性能的影响
- 批准号:
426532685 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Research Grants
Diodes based on MBE and MOVPE oxide thin films
基于 MBE 和 MOVPE 氧化物薄膜的二极管
- 批准号:
266999219 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Research Grants
MRI: Acquisition of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Reactor for Nanostructured Materials Development
MRI:采购用于纳米结构材料开发的金属有机气相外延 (MOVPE) 反应器
- 批准号:
1337592 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Standard Grant
加工Si基板上への非極性面GaNの選択MOVPE成長に関する研究
加工硅衬底上选择性MOVPE生长非极性面GaN的研究
- 批准号:
10J08362 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Growth of high-quality thick InGaN by raised-pressure MOVPE
通过升压 MOVPE 生长高质量厚 InGaN
- 批准号:
22246004 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
光ファイバ通信用光機能素子を目指した窒化インジウム系半導体のMOVPE成長
用于光纤通信光功能器件的氮化铟半导体的 MOVPE 生长
- 批准号:
10F00059 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
High performance III-V MOSFETs using MOVPE selectively regrown source
使用 MOVPE 选择性再生源的高性能 III-V MOSFET
- 批准号:
21760253 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)