The investigation of heat and mass transfer phenomenon for the GaAs single crystal growth solid-fluid interface control.

GaAs单晶生长固液界面控制传热传质现象研究

• 批准号: 21560198
• 负责人: KIKUTA Kazushige
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Tomakomai National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560198/
• 关键词: 対流; 化合物半導体; 伝熱; 結晶成長; 数値計算; 可視化; 旋回流

The objective of this study is to clarify heat and mass transfer phenomenon in the GaAs single crystal growth. In order to clarify complicated flow phenomenon of the melt, flow observation of the melt in the crucible which was simulated the growth device was carried out using the visualization experiment equipment. And, thermal hydraulics numerical calculation in the growth device at various crystal diameters and crystal length was conducted and the elucidation of the actual phenomenon was tried by verifying in comparison with single crystal growth experimental result. Flow characteristic of the melt was able to be clarified to some extent by this study. It was also able to be clarified a heat and flow characteristic in the equipment at the different crystal diameters and crystal length.

本研究的目的是为了阐明单晶生长过程中的热质传递现象。为了弄清熔体复杂的流动现象，利用可视化实验装置对熔体在生长装置模拟的熔体内的流动进行了观察。并对不同晶体直径和不同晶体长度的生长装置进行了热工水力学数值计算，并与单晶生长实验结果进行了对比验证，试图对实际现象进行解释。通过本文的研究，可以在一定程度上阐明熔体的流动特性。在不同晶体直径和不同晶体长度的情况下，还可以明确设备内的热和流动特性。

项目成果

GaAs単結晶成長に及ぼす融液流動および温度分布の影響

熔体流动和温度分布对砷化镓单晶生长的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: タンチアヨアン;小杉直央;鳥居大地;菊川豪太;小原拓;堂賢人,菊田和重;門脇主将,田部豊,近久武美;堂賢人,菊田和重;木村恵敬,田部豊,近久武美
• 通讯作者: 木村恵敬,田部豊,近久武美

GaAs単結晶製造装置内の熱流動可視化実験と解析

GaAs单晶制造设备中的热流可视化实验与分析

• 发表时间: 2010
• 期刊: 日本機械学会北海道学生会,第39回学生員卒業研究発表講演会
• 作者: タンチアヨアン;小杉直央;鳥居大地;菊川豪太;小原拓;堂賢人,菊田和重;門脇主将,田部豊,近久武美
• 通讯作者: 門脇主将,田部豊,近久武美

化合物半導体GaAs単結晶製造装置における熱・物質移動シミュレーション

化合物半导体砷化镓单晶制造设备中的传热传质模拟

• 发表时间: 2011
• 期刊: 日本機械学会北海道学生会,第40回学生員卒業研究発表講演会
• 作者: タンチアヨアン;小杉直央;鳥居大地;菊川豪太;小原拓;堂賢人,菊田和重
• 通讯作者: 堂賢人,菊田和重