Control of grain size in a low-temperature-crystallized Si film using seed layer
使用籽晶层控制低温结晶硅薄膜的晶粒尺寸
基本信息
- 批准号:21560324
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
We investigated low-temperature solid-state crystallization(SPC) of an amorphous Si(a-Si) film on a YSZ layer which stimulates the crystallization. As a result, it is found that 1) Y/(Zr+Y) ratio is needed more than 0. 15 for low-temperature crystallization, 2) due to YSZ layer, crystallization temperature becomes lower, 3) diffusion of Zr impurity into Si and surface roughness of Si film were reduced by SPC, 4) improvement of YSZ surface quality prior to Si film deposition is needed for better crystallization, and 5) thermal expansion between layers of TFT structure should be considered on its fabrication.
我们研究了在YSZ层上非晶Si(a-Si)薄膜的低温固态晶化(SPC)。结果发现:1)Y/(Zr+Y)比大于0. 2)由于YSZ层的存在,晶化温度变低; 3)SPC减少了Zr杂质向Si中的扩散,降低了Si膜的表面粗糙度; 4)为了更好地晶化,需要在Si膜沉积之前改善YSZ表面质量; 5)TFT结构的层间热膨胀应在其制造中考虑。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Relation of YSZ stimulation layer crystalline quality with the low-temperature crystallization of the Si film
YSZ刺激层结晶质量与Si薄膜低温结晶的关系
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:スクリーン・ハナ;堀田將
- 通讯作者:堀田將
Enhancement of the crystalline quality of reactively sputtered yttria-stabilized zirconia by oxidation of the metallic target surface
通过金属靶表面的氧化提高反应溅射氧化钇稳定氧化锆的结晶质量
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:2.1
- 作者:S. Hana;K. Nishioka;and S. Horita
- 通讯作者:and S. Horita
固相成長による結晶化誘発YSZ層上の非晶質Si薄膜の結晶化
YSZ层上非晶硅薄膜的固相诱导晶化
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:赤堀達矢;SUKREEN Hana,堀田將
- 通讯作者:SUKREEN Hana,堀田將
H_2O_2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いて堆積した酸化Si薄膜の膜質特性
臭氧气体和H_2O_2溶液鼓泡硅油沉积的氧化硅薄膜的薄膜特性
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hideyuki Imai;Isaku Kanno;Ryuji Yokokawa;Kiyotaka Wasa;Hidetoshi Kotera;辻埜太一,谷口勇太,堀田將
- 通讯作者:辻埜太一,谷口勇太,堀田將
オゾンとシリコーンオイルを用いた酸化Si薄膜堆積におけるH_2O_2溶液バブリングの効果
H_2O_2溶液鼓泡对臭氧和硅油沉积氧化硅薄膜的影响
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:谷口勇太;辻埜太一;堀田將
- 通讯作者:堀田將
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