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Surface characterization of iron silicides by energy tunable X-ray excited photoelectron spectroscopy
能量可调 X 射线激发光电子能谱表征硅化铁的表面
基本信息
- 批准号：21560765
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Depth profiling of iron silicide films, crystals and homoepitaxial films was performed by X-ray photoelectron spectroscopy using energy tunable X-rays from synchrotron radiation. The analysis indicated that native silicon oxide layers with the thickness of about 1 nm were formed on the silicides. The chemical states in the homoepitaxial films depended on the substrate temperature during film growth. This means that the optimization of the substrate temperature is important to obtain homoepitaxial films with good quality.
利用同步辐射能量可调的X射线，通过X射线光电子能谱对硅化铁薄膜、晶体和同质外延薄膜进行了深度剖析。分析表明，在硅化物上形成了厚度约为1nm的自然氧化硅层。在同质外延膜的化学状态依赖于薄膜生长过程中的衬底温度。这意味着衬底温度的优化对于获得具有良好质量的同质外延膜是重要的。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
X-ray photoelectron and X-ray absorption spectroscopic study on β-FeSi2 thin films fabricated by ion beam sputter deposition
离子束溅射沉积β-FeSi2薄膜的X射线光电子和X射线吸收光谱研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Fumitaka Esaka;et al.
- 通讯作者：et al.
Non-destructive depth profiling of FeSi_2 single crystals by synchrotron radiation excited XPS and XAS
同步辐射激发XPS和XAS对FeSi_2单晶的无损深度分析
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：F.Esaka;H.Yamamoto;et al.
- 通讯作者：et al.
Surface characterization of homoepitaxialυ-FeSi_2 film onυ-FeSi_2(111) substrate by X-ray photoelectron and X-ray absorption spectroscopy
X射线光电子和X射线吸收光谱表征υ-FeSi_2(111)衬底上同质外延ν-FeSi_2薄膜的表面
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：F. Esaka;H. Yamamoto;他6名
- 通讯作者：他6名
Surface characterization of homoepitaxialυ-FeSi_2 film onυ-FeSi_2(111) substrate by X-ray photoelectron and absorption spectroscopy
X射线光电子能谱和吸收光谱法表征υ-FeSi_2(111)衬底上同质外延υ-FeSi_2薄膜的表面
- DOI：10.1016/j.phpro.2011.01.043
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：F. Esaka;H. Yamamoto;他6名
- 通讯作者：他6名
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