刷新
{{item.name}}会员
Study of spin-transfer torque MRAM using thermal assistnce
利用热辅助研究自旋转移矩MRAM
基本信息
- 批准号：22560315
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Heat-assistance of the MRAM cell during the writing is considered to be effective to reduce the critical current density for the spin transfer torque (STT) switching. We fabricated giant magneto-resistance films with GdFeCo memory layers and investigated their STT switching aiming for the application to the thermally assisted MRAM. We also fabricated perpendicularly magnetized tunnel junctions with TbFe layer which has a large perpendicular anisotropy and low curie temperature. In both experiments we found that heat assistance is effective to reduce the current density for the STT switching.
在写入过程中，MRAM电池的热辅助被认为可以有效地降低自旋传递扭矩（STT）开关的临界电流密度。我们利用GdFeCo存储层制备了巨磁阻薄膜，并研究了其STT开关在热辅助MRAM中的应用。我们还利用tfe层制备了垂直磁化隧道结，该结具有较大的垂直各向异性和较低的居里温度。在这两个实验中，我们发现热辅助可以有效地降低STT开关的电流密度。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Thermally Assisted Magnetic Switching on Magnetic Tunnel Junctions with TbFe alloy memory layer
具有 TbFe 合金存储层的磁隧道结的热辅助磁开关
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Fujisawa;T. Kato;S. Iwata;S. Tsunashima
- 通讯作者：S. Tsunashima
Gilbert damping of Co/Pd multilayers with perpendicular anisotropy
具有垂直各向异性的 Co/Pd 多层膜的吉尔伯特阻尼
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kashima;T. Kato;Y. Matsumoto;S. Okamoto;N. Kikuchi;O. Kitakami;S. Iwata;S. Tsunashima
- 通讯作者：S. Tsunashima
Control of magnetic properties of MnAI films by Kr+ ion irradiation for planar bit patterned media
通过平面位图案介质的 Kr 离子辐照控制 MnAl 薄膜的磁性能
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Oshima;T. Kato;S. Iwata;and S. Tsunashima
- 通讯作者：and S. Tsunashima
Bit patterned structure fabricated by Kr+ ion irradiation onto MnBiCu films
MnBiCu 薄膜上 Kr 离子辐照制备位图结构
- DOI：10.1109/tmag.2012.2198052
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：池田 翔;伊藤浩之;石原昇;益一哉;D. Oshima;B.Dai;T. Kato;Q. Xu
- 通讯作者：Q. Xu
TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転
TbFe垂直磁化薄膜作为存储层的磁隧道结的热辅助磁化反转
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Oshima;T. Kato;S. Iwata;S. Tsunashima;佐藤僚祐,大河正志,佐藤孝;荒川雄太;高山洋一郎;山口利幸;藤澤佑樹,吉川大貴,加藤剛志,岩田聡,綱島滋
- 通讯作者：藤澤佑樹,吉川大貴,加藤剛志,岩田聡,綱島滋
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
TSUNASHIMA Shigeru其他文献
TSUNASHIMA Shigeru的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('TSUNASHIMA Shigeru', 18)}}的其他基金
Spin injection magnetic memory using perpendicular magnetized films
使用垂直磁化薄膜的自旋注入磁存储器
- 批准号：
19360143 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on spin injection solid state magnetic memories
自旋注入固态磁存储器的研究
- 批准号：
16206031 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Microfabricated synthetic ferrimagnetic elements and their application to high density memory devices
微加工合成亚铁磁元件及其在高密度存储器件中的应用
- 批准号：
13450126 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Curie point written solid state magnetic memories
居里点写入固态磁存储器的制作
- 批准号：
13555092 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
TRANSPORT PHENOMENA OF SPIN-POLARIZED ELECTRON IN DOUBLE-TUNNELING BARRIER
双隧道势垒中自旋极化电子的输运现象
- 批准号：
11450120 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
CONTROL OF SPIN CONFIGURATION OF MAGNETIC ULTRA-THIN FILMS
磁性超薄膜自旋构型的控制
- 批准号：
08405024 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
ULTRA-HIGH DENSITY MAGNETO-OPTICAL RECORDING SYSTEM
超高密度磁光记录系统
- 批准号：
08555074 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Magneto-Optical Properties of Co/Noblemetal Artificial Superlattices
钴/贵金属人造超晶格的磁光特性
- 批准号：
01550011 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Magnetic properties of compositionally modulated alloy films
成分调制合金薄膜的磁性能
- 批准号：
61550227 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
相似海外基金
多感覚な超柔軟電子材料による皮膚感覚器官の模倣
使用多感官超柔性电子材料模仿皮肤感觉器官
- 批准号：
23K26136 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子材料用高純度アルミ製造法の革新
电子材料用高纯铝制造方法的创新
- 批准号：
23K17827 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
多感覚な超柔軟電子材料による皮膚感覚器官の模倣
使用多感官超柔性电子材料模仿皮肤感觉器官
- 批准号：
23H01442 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超電子供与性閉殻分子の創製と有機電子材料への展開
超给电子闭壳层分子的创造及其在有机电子材料中的应用
- 批准号：
23KJ0108 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ヨウ素-ヨウ素相互作用による分子配向制御を用いたC-I結合解離電子材料の創製
通过碘-碘相互作用控制分子取向创建 C-I 键解离电子材料
- 批准号：
22KJ0328 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
融合型電子材料ナノワイヤのマクロスケール機能開拓
熔融电子材料纳米线的宏观功能探索
- 批准号：
23H00250 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
グラフェンの光操作による超薄膜電子材料の創出
通过石墨烯的光学操纵创建超薄膜电子材料
- 批准号：
22K05052 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
全塗布プロセス適応化に向けた２分子膜型有機電子材料の開発
开发适应所有涂层工艺的双层有机电子材料
- 批准号：
21K14699 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
インフォマティックスの先をゆき応用も志向したトポロジカル電子材料の開拓
开发超越信息学、面向应用的拓扑电子材料
- 批准号：
21H04652 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
液体流動と電子材料界面における動電現象解明と新規電子デバイス創成
阐明液体流动和电子材料之间界面的动电现象并创建新的电子设备
- 批准号：
21H01755 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)