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Study of spin-transfer torque MRAM using thermal assistnce
利用热辅助研究自旋转移矩MRAM
基本信息
- 批准号：22560315
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Heat-assistance of the MRAM cell during the writing is considered to be effective to reduce the critical current density for the spin transfer torque (STT) switching. We fabricated giant magneto-resistance films with GdFeCo memory layers and investigated their STT switching aiming for the application to the thermally assisted MRAM. We also fabricated perpendicularly magnetized tunnel junctions with TbFe layer which has a large perpendicular anisotropy and low curie temperature. In both experiments we found that heat assistance is effective to reduce the current density for the STT switching.
在写入期间对MRAM单元的热辅助被认为是有效地降低用于自旋转移扭矩(STT)切换的临界电流密度。我们制备了具有GdFeCo存储层的巨磁阻膜，并对其STT开关进行了研究，旨在应用于热辅助MRAM。我们还制备了垂直磁化的TbFe层隧道结，具有较大的垂直各向异性和较低的居里温度。在这两个实验中，我们都发现热辅助可以有效地降低STT开关的电流密度。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Thermally Assisted Magnetic Switching on Magnetic Tunnel Junctions with TbFe alloy memory layer
具有 TbFe 合金存储层的磁隧道结的热辅助磁开关
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Fujisawa;T. Kato;S. Iwata;S. Tsunashima
- 通讯作者：S. Tsunashima
Gilbert damping of Co/Pd multilayers with perpendicular anisotropy
具有垂直各向异性的 Co/Pd 多层膜的吉尔伯特阻尼
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kashima;T. Kato;Y. Matsumoto;S. Okamoto;N. Kikuchi;O. Kitakami;S. Iwata;S. Tsunashima
- 通讯作者：S. Tsunashima
Control of magnetic properties of MnAI films by Kr+ ion irradiation for planar bit patterned media
通过平面位图案介质的 Kr 离子辐照控制 MnAl 薄膜的磁性能
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Oshima;T. Kato;S. Iwata;and S. Tsunashima
- 通讯作者：and S. Tsunashima
Bit patterned structure fabricated by Kr+ ion irradiation onto MnBiCu films
MnBiCu 薄膜上 Kr 离子辐照制备位图结构
- DOI：10.1109/tmag.2012.2198052
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：池田 翔;伊藤浩之;石原昇;益一哉;D. Oshima;B.Dai;T. Kato;Q. Xu
- 通讯作者：Q. Xu
TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転
TbFe垂直磁化薄膜作为存储层的磁隧道结的热辅助磁化反转
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Oshima;T. Kato;S. Iwata;S. Tsunashima;佐藤僚祐,大河正志,佐藤孝;荒川雄太;高山洋一郎;山口利幸;藤澤佑樹,吉川大貴,加藤剛志,岩田聡,綱島滋
- 通讯作者：藤澤佑樹,吉川大貴,加藤剛志,岩田聡,綱島滋
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