Development of Magnesium Silicide based Thermoelectric Materials by nano-microstructural control processing
Development of Magnesium Silicide based Thermoelectric Materials by nano-microstructural control processing
批准号:
22560738
负责人:
TANI Junichi
金额:
$2.83万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2012
中文摘要
本研究采用氧化物还原法制备复合材料、溅射法制备薄膜和激光辐照表面改性三种新的工艺技术,成功地将硅化镁(Mg_2Si)基热电材料的微观结构控制在纳米级。
英文摘要
In this study, the microstructure of magnesium silicide (Mg_2Si) based thermoelectric materials was successfully controlled at the nanolevel by using three new processing technologies: composites fabrication using reduction reaction method with oxides, thin film fabrication by sputtering method, and surface modification by laser irradiation.
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Structural and Electrical Properties of Mg-Si Thin Films Fabricated by RF Magnetron Sputtering Deposition
射频磁控溅射沉积镁硅薄膜的结构和电学性能
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[足立振一郎, 上田順弘, J. Tani and H. Kido]
通讯作者:
J. Tani and H. Kido
酸化物還元法およびパルス通電焼結法によるマグネシウムシリサイド系熱電複合材料の作製と熱電特性
氧化物还原法和脉冲电流烧结法制备硅化镁基热电复合材料及其热电性能
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[谷淳一, 木戸博康, 谷淳一]
通讯作者:
谷淳一
RF マグネトロンスパッタ法によるMg_2Si 薄膜の作製と電気的特性
射频磁控溅射法制备Mg_2Si薄膜及其电学性能
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[谷淳一, 木戸博康]
通讯作者:
木戸博康
Lattice dynamics and elastic properties of Mg_3As_2 and Mg_3Sb_2 compounds form first-principles calculations
Mg_3As_2和Mg_3Sb_2化合物的晶格动力学和弹性性质形成第一性原理计算
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Physica B
影响因子:
2.8
作者:
[J. Tani, M. Takahashi, and H. Kido]
通讯作者:
and H. Kido
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