Study of line edge roughness (LER) reduction in 15nm scale gate pattern

15nm 规模栅极图案中线边缘粗糙度 (LER) 降低的研究

• 批准号: 23360150
• 负责人: KAWAI Akira
• 金额: $ 12.9万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360150/
• 关键词: レジストパターン; 付着力; 原子間力顕微鏡; 半導体集積回路; 高分子集合体; リソグラフィ; ナノバブル; リソグラフィー; ナノ固体; 表面エネルギー; 分子間力; 付着性; 微細加工; ラインエッジラフネス; 集積回路; 感光性樹脂; マニピュレーション; インデンテーション; フォトレジスト; ナノパターン; ゲートパターン

In this study, the condensation control of polymer aggregate in resist micro pattern is carried out in order to clarify the LER(line edge roughness) mechanism by using an atomic force microscope (AFM). The condensation of polymer aggregate affects strongly to the decrease of LER in resist pattern side-wall. From the DPAT (direct peeling by using AFM tip) results of resist pattern adhesion, the polymer aggregate condensation at the pattern bottom is one important control factor. The intrusion experiments indicate similar tendency of resist-substrate interface stability. In this regard, Zeta-potential of polymer aggregate surface should affect to LER control of resist pattern during pattern development. In conclusion, in this study, the important design rules in LER decrease of resist pattern of 15nm size are indicated.

在这项研究中，抗蚀剂微图案中的聚合物聚集体的冷凝控制进行，以澄清LER（线边缘粗糙度）的机制，通过使用原子力显微镜（AFM）。聚合物聚集体的凝聚对光刻胶侧壁LER的降低有很大的影响。从抗蚀剂图案粘附的DPAT（使用AFM针尖直接剥离）结果来看，图案底部的聚合物聚集体凝聚是一个重要的控制因素。抗蚀剂-衬底界面稳定性的侵入实验表明类似的趋势。在这方面，聚合物聚集体表面的Zeta电位应影响图案显影期间抗蚀剂图案的LER控制。总之，在这项研究中，重要的设计规则，在LER降低的抗蚀剂图案的15纳米尺寸的指示。

项目成果

高分子における劣化・破壊現象の写真・データ事例集

聚合物劣化和破坏现象的照片和数据示例的收集

• 发表时间: 2014
• 作者: C. Shinagawa;H. Ushiyama;K. Yamashita;野寺明夫，中田宗隆ほか９７名
• 通讯作者: 野寺明夫，中田宗隆ほか９７名

塗膜・レジスト膜の乾燥・付着技術とトラブル対策

漆膜、抗蚀膜的干燥、附着技术及故障排除

• 发表时间: 2011
• 作者: 森田 直也;河合 晃;河合 晃;河合 晃他;河合 晃;河合 晃;河合 晃;河合 晃;河合 晃
• 通讯作者: 河合 晃

Peeling Force ofPolymer Micro Pattern by Direct Peelingby using AFM Tip (DPAT)

使用 AFM 尖端 (DPAT) 直接剥离的聚合物微图案的剥离力

• 发表时间: 2012
• 作者: Takashi Aiba;Akira Kawai
• 通讯作者: Akira Kawai

レジストプロセスの最適化テクニック、～微細化・トラブル解消のための工程別対策および材料技術～

抗蚀剂工艺的优化技术，〜用于小型化和故障排除的工艺特定措施和材料技术〜

• 发表时间: 2011
• 作者: 三好俊平;他;渡邊健夫
• 通讯作者: 渡邊健夫

リソグラフィプロセスを用いた燃料電池用電解質のマイクロパターン形成, I-13

使用光刻工艺对燃料电池电解质进行微图案化，I-13

• 作者: 桜井;河合
• 通讯作者: 河合