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Realization of compressively strained silicon by defect control using ion implantation and application to high hole mobilty devices

Realization of compressively strained silicon by defect control using ion implantation and application to high hole mobilty devices
通过离子注入缺陷控制实现压应变硅及其在高空穴迁移率器件中的应用
批准号：
24360001
负责人：
Usami Noritaka
金额：
$12.23万
依托单位：
Nagoya University (2013-2015)Tohoku University (2012)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360001/
关键词：
歪みシリコンヘテロ構造分子線エピタキシー

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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 澤野憲太郎
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [藤原幸亮, 酒井翔一朗, 小林昭太, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎]
通讯作者： 澤野憲太郎
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [中込諒, 酒井翔一朗, 藤原幸亮, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎]
通讯作者： 澤野憲太郎
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [有澤 洋, 星 裕介, 藤原 幸亮, 山中 淳二, 有元 圭介, 中川 清和, 澤野 憲太郎, 宇佐美 徳隆]
通讯作者： 宇佐美 徳隆
共 19 条
    Challenge to the realization of dopant-free flexible solar cells that expand the application area of photovoltaics
    • 批准号：
      20K20998
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.58万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Usami Noritaka
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金