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Realization of compressively strained silicon by defect control using ion implantation and application to high hole mobilty devices

通过离子注入缺陷控制实现压应变硅及其在高空穴迁移率器件中的应用

基本信息

批准号：
24360001
负责人：
Usami Noritaka
金额：
$ 12.23万
依托单位：
Nagoya University (2013-2015)Tohoku University (2012)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360001/
关键词：
歪みシリコンヘテロ構造分子線エピタキシー

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性

使用稍微倾斜衬底的拉伸应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构的形貌和器件性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
宇津山直人;佐藤圭;山田崇峰;有元圭介;山中淳二;中川清和;原康介;宇佐美徳隆;澤野憲太郎
通讯作者：
澤野憲太郎

歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係

应变Si/Si1-xCx/Si(001)异质结构结晶度与杂质活化过程的关系

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤原幸亮;酒井翔一朗;小林昭太;有元圭介;山中淳二;中川清和;宇佐美徳隆;星裕介;澤野憲太郎
通讯作者：
澤野憲太郎

イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価

离子注入生长法制造的压应变Si/Si1-xCx/Si(001) MOSFET的电特性评估

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
中込諒;酒井翔一朗;藤原幸亮;有元圭介;山中淳二;中川清和;宇佐美徳隆;星裕介;澤野憲太郎
通讯作者：
澤野憲太郎

Arイオン注入法を用いた圧縮歪み/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製

Ar离子注入法制备压缩应变/松弛Si1-xCx异质结

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
有澤洋;星裕介;藤原幸亮;山中淳二;有元圭介;中川清和;澤野憲太郎;宇佐美徳隆
通讯作者：
宇佐美徳隆

Si1-xCx混晶半導体の不純物活性化プロセスにおける結晶欠陥形成過程の解明

阐明Si1-xCx混晶半导体杂质激活过程中晶体缺陷形成过程

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤原幸亮;酒井翔一朗;古川洋志;井上樹範;有元圭介;山中淳二;中川清和;宇佐美徳隆;星裕介;澤野憲太郎;白木靖寛
通讯作者：
白木靖寛

DOI：
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作者：
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0
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2020
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影响因子：
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影响因子：
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