课题基金 / 基金详情

Fabrication of tin oxide transparent conductive films with hole conductivity

Fabrication of tin oxide transparent conductive films with hole conductivity
具有空穴导电性的氧化锡透明导电薄膜的制备
批准号：
24360302
负责人：
MITSUDA Yoshitaka
金额：
$11.23万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360302/
关键词：
酸化スズ透明導電膜光透過性電気伝導性

项目摘要

项目成果

MITSUDA Yoshitaka的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
水蒸気雰囲気アニールによるSnO2膜の形成
蒸汽气氛退火形成SnO2薄膜
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [小田信彦, 野瀬健二, 神子公男, 光田好孝]
通讯作者： 光田好孝
Transparent and conductive amorphous stannic oxide thin films deposited by plasma-enhanced pulsed laser deposition
等离子体增强脉冲激光沉积沉积透明导电非晶氧化锡薄膜
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [N.Oda, K.Nose, M.Kamiko, Y.Mitsuda]
通讯作者： Y.Mitsuda
Oxidation of SnO to SnO2 thin films in boiling water at atmospheric pressure
DOI： 10.1063/1.4867654
发表时间： 2014-03-03
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Nose, K., Suzuki, A. Y., Mitsuda, Y.]
通讯作者： Mitsuda, Y.
SnO2透明導電膜の合成
SnO2透明导电薄膜的合成
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [小田信彦, 野瀬健二, 神子公男, 光田好孝]
通讯作者： 光田好孝
Epitaxial precipitation of grapheneby microwave plasma chemical vapor deposition
  • 批准号：
    23656450
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.41万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    MITSUDA Yoshitaka
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Nano-chemical modification of diamond surfaces by a probing method in controlled atmosphere
  • 批准号：
    18360348
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.23万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    MITSUDA Yoshitaka
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Low Temperature Fabrication of Diamond Films by CVD Method with Laser Induced Surface Reaction
  • 批准号：
    13450291
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $9.66万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    MITSUDA Yoshitaka
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Low Temperature Fabrication of Capacitance Materials with High Dielectric Constant for Application of Non-Volatile Memory
  • 批准号：
    13555194
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.89万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    MITSUDA Yoshitaka
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
海外基金