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Development of InGaAs/InAs on Silicon light emitting devices for environmental analyses

开发用于环境分析的硅发光器件 InGaAs/InAs

基本信息

批准号：
24681026
负责人：
Higo Akio
金额：
$ 16.97万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24681026/
关键词：
MOVPE InGaAs 化合物半導体 MEMS NEMS LED 光デバイス InAs シリコンプラットフォーム光源発光素子

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Top-down InGaAs/GaAs nanopillars fabrication using a bio-nano process and a neutral beam etching process

使用生物纳米工艺和中性束蚀刻工艺自上而下制造 InGaAs/GaAs 纳米柱

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Cedric Thomas;Kenichi Yoshikawa;Chang-Yong Lee;Yosuke Tamura;Akio Higo;Takayuki Kiba;Akihiro Murayama;Ichiro Yamashita;Seiji Samukawa
通讯作者：
Seiji Samukawa

Fabrication of GaAs/AlGaAs nano-pillars using bio-tempate combined with neutral beam defect-free etching

利用生物模板结合中性束无缺陷刻蚀制备 GaAs/AlGaAs 纳米柱

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Cdric Thomas;Yosuke Tamura;Akio Higo;Naofumi Okamoto;Ichiro Yamashita;and Seiji Samukawa
通讯作者：
and Seiji Samukawa

Impact of artificial lateral quantum confinement on exciton-spin relaxation in a two-dimensional GaAs electronic system

人工横向量子限制对二维 GaAs 电子系统中激子自旋弛豫的影响

DOI：
10.1063/1.4897958
发表时间：
2014
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
T. Kiba;T. Tanaka;Y. Tamura;A. Higo;C. Thomas;S. Samukawa and A. Murayama
通讯作者：
S. Samukawa and A. Murayama

OPTICAL CHARACTERISTICS OF GAAS QUANTUM NANODISKS ARRAYS BY USING NEUTRAL BEAM TOP - DOWN PROCESS

采用中性束自上而下工艺的 GAAS 量子纳米盘阵列的光学特性

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akio Higo;Takayuki Kiba;Yosuke Tamura;Cedric Thomas;Ichiro Yamashita;Akihiro Murayama;and Seiji Samukawa
通讯作者：
and Seiji Samukawa

Design of photonic crystal cavity for hexagonal islands

六方岛光子晶体腔设计

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jon Oeyvind Kjellman;Akio Higo;and Yoshiaki Nakano
通讯作者：
and Yoshiaki Nakano

DOI：
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作者：
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Higo Akio其他文献

アルミニウム合金の加工熱処理工程における組織形成機構の解明

阐明铝合金热处理过程中的组织形成机制

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kiba Takayuki;Iijima Natsumi;Yanome Kazuki;Kawamura Midori;Abe Yoshio;Kim Kyung Ho;Takase Mai;Higo Akio;Takayama Junichi;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;池田賢一
通讯作者：
池田賢一

Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform

用于 LSI 平台的 PbS QD/硅混合红外光电二极管的制造

DOI：
10.1541/ieejsmas.138.307
发表时间：
2018
期刊：
IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines
影响因子：
0
作者：
Higo Akio;Mita Yoshio;Wang Haibin;Kubo Takaya;Segawa Hiroshi;Usami Naoto;Okamoto Yuki;Yamada Kentaro;Takeshiro Yudai;Sugiyama Masakazu
通讯作者：
Sugiyama Masakazu

プローブ波とポンプ波を用いたき裂を有するガラスからの2次高調波超音波の検出実験

利用探测波和泵浦波对裂纹玻璃进行二次谐波超声波检测实验

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamaguchi Takafumi;Usami Naoto;Misumi Kei;Toyokura Atsushi;Higo Akio;Ono Shimpei;Hwang Gilgueng;Larrieu Guilhem;Ikeuchi Yoshiho;Tixier-Mita Agnes;Saito Ken;Levi Timothee;Mita Yoshio;舩戸徹郎;三木勇太，齋藤博史，村田章;亀島司，福田誠，西平守正
通讯作者：
亀島司，福田誠，西平守正

反応性スパッタ法により作製したTiOx 薄膜の電気特性評価

反应溅射法制备TiOx薄膜电学性能评价

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Higo Akio;Sawamura Tomoki;Fujiwara Makoto;Ota Etsuko;Mizushima Ayako;Lebrasseur Eric;Arakawa Taro;Mita Yoshio;福本泰士，有田正志，福地厚，高橋庸夫
通讯作者：
福本泰士，有田正志，福地厚，高橋庸夫