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Development of InGaAs/InAs on Silicon light emitting devices for environmental analyses

Development of InGaAs/InAs on Silicon light emitting devices for environmental analyses
开发用于环境分析的硅发光器件 InGaAs/InAs
批准号：
24681026
负责人：
Higo Akio
金额：
$16.97万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24681026/
关键词：
MOVPEInGaAs化合物半導体MEMSNEMSLED光デバイスInAsシリコンプラットフォーム光源発光素子

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Top-down InGaAs/GaAs nanopillars fabrication using a bio-nano process and a neutral beam etching process
使用生物纳米工艺和中性束蚀刻工艺自上而下制造 InGaAs/GaAs 纳米柱
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Cedric Thomas, Kenichi Yoshikawa, Chang-Yong Lee, Yosuke Tamura, Akio Higo, Takayuki Kiba, Akihiro Murayama, Ichiro Yamashita, Seiji Samukawa]
通讯作者： Seiji Samukawa
Fabrication of GaAs/AlGaAs nano-pillars using bio-tempate combined with neutral beam defect-free etching
利用生物模板结合中性束无缺陷刻蚀制备 GaAs/AlGaAs 纳米柱
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Cdric Thomas, Yosuke Tamura, Akio Higo, Naofumi Okamoto, Ichiro Yamashita, and Seiji Samukawa]
通讯作者： and Seiji Samukawa
Impact of artificial lateral quantum confinement on exciton-spin relaxation in a two-dimensional GaAs electronic system
人工横向量子限制对二维 GaAs 电子系统中激子自旋弛豫的影响
DOI： 10.1063/1.4897958
发表时间： 2014
期刊： AIP Advances
影响因子： 1.6
作者： [T. Kiba, T. Tanaka, Y. Tamura, A. Higo, C. Thomas, S. Samukawa and A. Murayama]
通讯作者： S. Samukawa and A. Murayama
OPTICAL CHARACTERISTICS OF GAAS QUANTUM NANODISKS ARRAYS BY USING NEUTRAL BEAM TOP - DOWN PROCESS
采用中性束自上而下工艺的 GAAS 量子纳米盘阵列的光学特性
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Akio Higo, Takayuki Kiba, Yosuke Tamura, Cedric Thomas, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, and Seiji Samukawa]
通讯作者： and Seiji Samukawa
共 9 条
    国内基金
    海外基金
    基于 InGaAs 纳米线阵列的EBCMOS 红外探测器件制备理论方法和关键技术研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      李方浩
    • 依托单位：
      中国计量大学
    基于应力平衡量子阱结构的超高效GaInP/GaAs(QWs)/InGaAs太阳电池研究
    InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
    • 批准号：
      62375229
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      49万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      陈松岩
    • 依托单位：
      厦门大学
    InGaAs/InP雪崩光电二极管的缺陷形成机理和性能退化机制研究