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3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 3D InGaAs MOSFET
基本信息
- 批准号：25420322
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートＭＯＳＦＥＴの作製プロセス
源极和漏极再生的多栅极MOSFET的制造工艺
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Masahiko Nishimoto;Daisuke Yoshida;木下治紀
- 通讯作者：木下治紀
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- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：角穴光;飯田守;豊岡義和;小山長規;山田誠;Yuichi Mishima
- 通讯作者：Yuichi Mishima
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- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岩井郁也;吉富邦明;金谷晴一;Yuichi Mishima;辻大輝，板野由佳，小椋清孝，森下賢幸，吉富貞幸，伊藤信之;三嶋裕一
- 通讯作者：三嶋裕一
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- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：飯田守;小山長規;角穴光;豊岡義和;山田誠;木下 治紀
- 通讯作者：木下 治紀
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具有 MOVPE 再生长源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岩井郁也;吉富邦明;金谷晴一;Yuichi Mishima
- 通讯作者：Yuichi Mishima
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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Ohsawa Kazuto
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
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{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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