3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain
3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 3D InGaAs MOSFET
批准号：
25420322
负责人：
Kanazawa Toru
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートＭＯＳＦＥＴの作製プロセス
源极和漏极再生的多栅极MOSFET的制造工艺
源极和漏极再生的多栅极MOSFET的制造工艺
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masahiko Nishimoto, Daisuke Yoshida, 木下治紀]
通讯作者：
木下治紀
InGaAs channel tri-gate MOSFETs with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 InGaAs 通道三栅极 MOSFET
具有再生源极/漏极的 InGaAs 通道三栅极 MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[角穴光, 飯田守, 豊岡義和, 小山長規, 山田誠, Yuichi Mishima]
通讯作者：
Yuichi Mishima
再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
具有再生源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
具有再生源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩井郁也, 吉富邦明, 金谷晴一, Yuichi Mishima, 辻大輝，板野由佳，小椋清孝，森下賢幸，吉富貞幸，伊藤信之, 三嶋裕一]
通讯作者：
三嶋裕一
再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究
源漏再生InGaAs多栅MOSFET工艺研究
源漏再生InGaAs多栅MOSFET工艺研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯田守, 小山長規, 角穴光, 豊岡義和, 山田誠, 木下 治紀]
通讯作者：
木下 治紀
InGaAs tri-gate MOSFET with MOVPE regrown source/drain
具有 MOVPE 再生长源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
具有 MOVPE 再生长源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩井郁也, 吉富邦明, 金谷晴一, Yuichi Mishima]
通讯作者：
Yuichi Mishima
共 12 条
Stacked short channel III-V MOSFET
-
批准号：16K18087
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2016
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负责人：Kanazawa Toru
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依托单位：
海外基金