Fabrication of non-polar GaN and nitride semiconductor crystals using newly developed control technique of crystal planes

利用新开发的晶面控制技术制造非极性GaN和氮化物半导体晶体

• 批准号: 25390064
• 负责人: MURAKAMI HISASHI
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25390064/
• 关键词: 窒化物半導体; 選択成長; 半極性; 基板加工; 異方性エッチング; 砒化ガリウム

项目成果

前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長

两步前驱体 HVPE 法快速生长 In 极性和 N 极性 InN

• 作者: 斉藤広伸;藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 通讯作者: 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯

Thermal stability of β-Ga2O3 in mixed flows of H2 and N2

β-Ga2O3 在 H2 和 N2 混合流中的热稳定性

• DOI: 10.7567/jjap.54.041102
• 发表时间: 2015
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Rie Togashi;Kazushiro Nomura1;Chihiro Eguchi;Takahiro Fukizawa;Ken Goto;Quang Tu Thieu;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi
• 通讯作者: Shigenobu Yamakoshi

Influence of NH3 input partial pressure on N-polarity InGaN growth by tri -halide vapor phase epitaxy

NH3输入分压对三卤化物气相外延生长N极性InGaN的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: T. Hirasaki;T. Hasegawa;M. Meguro;Q. T. Thieu;H. Murakami;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
• 通讯作者: A. Koukitu

High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.04.019
• 发表时间: 2015-07
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: R. Togashi;Q. Thieu;H. Murakami;Y. Kumagai;Y. Ishitani;B. Monemar;A. Koukitu

Surface orientation dependence of the In-incorporation of THVPE-grown InGaN studied by first principles and statistical thermodynamics

通过第一原理和统计热力学研究 THVPE 生长的 InGaN 的 In 掺入的表面取向依赖性

• 发表时间: 2014
• 作者: Hisashi Murakami;Yu Fujimura;Rie Togashi;Yoshinao Kumagai;Akinori Koukitu
• 通讯作者: Akinori Koukitu