Stacked short channel III-V MOSFET
Stacked short channel III-V MOSFET
堆叠式短沟道 III-V MOSFET
批准号：
16K18087
负责人：
Kanazawa Toru
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 InGaAs 沟道 FinFET 的栅极可控性与鳍片宽度的关系
具有再生源极/漏极的 InGaAs 沟道 FinFET 的栅极可控性与鳍片宽度的关系
DOI：
10.1016/j.sse.2016.09.009
发表时间：
2016
期刊：
Solid-State Electronics
影响因子：
1.7
作者：
[N. Kise,H. Kinoshita, A. Yukimachi, T. Kanazawa and Y. Miyamoto]
通讯作者：
T. Kanazawa and Y. Miyamoto
Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source
利用再生源制造 InGaAs 纳米片晶体管
利用再生源制造 InGaAs 纳米片晶体管
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kanazawa, K. Ohsawa, T. Amemiya, N. Kise, R. Aonuma, Y. Miyamoto]
通讯作者：
Y. Miyamoto
InGaAsナノシートトランジスタの作製
InGaAs纳米片晶体管的制造
InGaAs纳米片晶体管的制造
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金澤 徹, 大澤一斗, 雨宮智宏, 木瀬信和, 青沼遼介, 宮本恭幸]
通讯作者：
宮本恭幸
InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発
具有 InGaAs 纳米片通道的多栅极 MOSFET 的制造工艺开发
具有 InGaAs 纳米片通道的多栅极 MOSFET 的制造工艺开发
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大澤一斗, 金澤 徹, 木瀬信和, 雨宮智宏, 宮本恭幸]
通讯作者：
宮本恭幸
3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain
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批准号：25420322
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2013
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负责人：Kanazawa Toru
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依托单位：
海外基金