刷新
{{item.name}}会员
Development of high rate glancing angle deposition techniques with oxygen radical source for the fabrication of titanium oxide films with excellent photo-catalytic properties
开发氧自由基源高速掠射角沉积技术，用于制备具有优异光催化性能的氧化钛薄膜
基本信息
- 批准号：15K04682
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
先端有機半導体デバイス 基礎からデバイス物性まで
先进有机半导体器件：从基础知识到器件特性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Li-Jiun Chen;Shunich Tsunajima;Matsuhiko Nishizawa;Nobuhiro Nagai;Toshiaki Abe;Hirokazu Kaji;三成剛生
- 通讯作者：三成剛生
低ダメージスパッタ堆積プロセスを利用した有機EL素子用電極膜の作製
采用低损伤溅射沉积工艺制造有机EL器件电极膜
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：２）Meihan Wang;Hao Lei;Jiaxing Wen;Haibo Long;Yutaka Sawada;Yoichi Hoshi;Takayuki Uchida;Zhaoxia Hou;星 陽一 濱口大地 小林信一 内田孝幸 澤田 豊 清水英彦
- 通讯作者：星 陽一 濱口大地 小林信一 内田孝幸 澤田 豊 清水英彦
Improvement of gaschromic properties of WO3 films by high rate reactive sputter-deposition on an inclined substrate
倾斜基底上高速反应溅射沉积提高 WO3 薄膜气致变色性能
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoji Yasuda;Yoichi Hoshi(1);Shin-ichi Kobayashi;Takayuki Uchida;Yutaka Sawada;Meihan Wang;and Hao Lei
- 通讯作者：and Hao Lei
有機EL素子の上部電極作製用スパッタ成膜プロセスの開発
开发用于制造有机EL器件上电极的溅射沉积工艺
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安田洋司，星陽一，小林信一;内田孝幸
- 通讯作者：内田孝幸
斜め入射堆積Ti薄膜の熱酸化による酸化チタン薄膜の作製II
斜入射钛薄膜热氧化制备氧化钛薄膜II
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：１）星 陽一;濱口大地;小林信一;澤田 豊;内田孝幸;安田洋司;安田 洋司，星 陽一
- 通讯作者：安田 洋司，星 陽一
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
HOSHI Yoichi其他文献
HOSHI Yoichi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('HOSHI Yoichi', 18)}}的其他基金
Development of high rate and low temperature sputter-deposition method for the fabrication of oxide films on organic substrate
开发在有机基底上制备氧化膜的高速低温溅射沉积方法
- 批准号：
20560309 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of high rate sputtering system for the deposition of transparent conductive thin films with low resistivity and high adhesion on plastic film substrate.
开发高速率溅射系统，用于在塑料薄膜基材上沉积低电阻率和高附着力的透明导电薄膜。
- 批准号：
16560281 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of soft magnetic thin films with large saturation magnetization for magnetic recording head by sputter-deposition at liquid nitrogen temperature
液氮温度下溅射沉积磁记录头用大饱和磁化强度软磁薄膜的研制
- 批准号：
13650357 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of sputter deposition method to control microstructure of thin film magnetic recording media with ultra high density.
开发溅射沉积方法来控制超高密度薄膜磁记录介质的微观结构。
- 批准号：
10650320 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of hightly oriented and low noise barium ferrite thin film media for high density magnetic recording
用于高密度磁记录的高取向、低噪声钡铁氧体薄膜介质的开发
- 批准号：
06650374 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Deposition of Iron Nitride Films with Large Saturation Magnetization by Using a Sputtering Type Plasma Source.
使用溅射型等离子体源沉积具有大饱和磁化强度的氮化铁薄膜。
- 批准号：
04650272 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Deposition of Iron Nitride Soft Magnetic Thin Films with Giant Saturation Magnetization by Sputtering type Plasma Source
溅射式等离子体源沉积大饱和磁化氮化铁软磁薄膜
- 批准号：
02650229 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Development of Sputtering Type Large Current Ion Source and its Application for the Synthesis of Superconducting Oxide thin Films.
溅射式大电流离子源的研制及其在超导氧化物薄膜合成中的应用。
- 批准号：
01850065 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research