Measurement method for polarity-inverted layered piezoelectric thin films using scanning nonlinear dielectric microscopy
Measurement method for polarity-inverted layered piezoelectric thin films using scanning nonlinear dielectric microscopy
使用扫描非线性介电显微镜测量极性反转层状压电薄膜的方法
批准号：
15K04725
负责人：
ODAGAWA HIROYUKI
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Method for measuring polarity-inverted layered structure in dielectric thin films using scanning nonlinear dielectric microscopy
使用扫描非线性介电显微镜测量介电薄膜中极性反转层状结构的方法
使用扫描非线性介电显微镜测量介电薄膜中极性反转层状结构的方法
DOI：
10.1080/00150193.2016.1169493
发表时间：
2016
期刊：
Ferroelectrics
影响因子：
0.8
作者：
[Hiroyuki Odagawa, Koshiro Terada, Hiroaki Nishikawa, Takahiko Yanagitani, Yasuo Cho]
通讯作者：
Yasuo Cho
Quantitative thickness measurement of polarity-inverted piezoelectric thin-film layer by scanning nonlinear dielectric microscopy
扫描非线性介电显微镜定量测量极性反转压电薄膜层的厚度
扫描非线性介电显微镜定量测量极性反转压电薄膜层的厚度
DOI：
10.7567/jjap.56.10pf18
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Hiroyuki Odagawa, Koshiro Terada, Yohei Tanaka, Hiroaki Nishikawa, Takahiko Yanagitani and Yasuo Cho]
通讯作者：
Takahiko Yanagitani and Yasuo Cho
Quantitative Thickness Measurement in Layered Polarity-Inverted Piezoelectric Thin Films Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
使用扫描非线性介电显微镜定量测量层状极性反转压电薄膜的厚度
使用扫描非线性介电显微镜定量测量层状极性反转压电薄膜的厚度
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Koshiro Terada, Hiroaki Nishikawa, Yohei Tanaka1, Hiroyuki Odagawa1, Takahiko Yanagitani, and Yasuo Cho]
通讯作者：
and Yasuo Cho
走査型非線形誘電率顕微法による層状極性反転圧電膜の層厚の定量測定
使用扫描非线性介电常数显微镜定量测量层状极性反转压电薄膜的层厚度
使用扫描非线性介电常数显微镜定量测量层状极性反转压电薄膜的层厚度
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[寺田浩士朗, 西川宏明, 田中陽平, 小田川裕之, 柳谷隆彦, 長康雄]
通讯作者：
長康雄
走査型非線形誘電率顕微法に・E謔驪ﾉ性反転層状構造圧電薄膜の層厚の定量測定
使用扫描非线性介电常数显微镜定量测量具有倒层结构的压电薄膜的层厚
使用扫描非线性介电常数显微镜定量测量具有倒层结构的压电薄膜的层厚
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
電子情報通信学会技術報告
影响因子：
--
作者：
[寺田浩士朗, 西川宏明, 田中陽平, 小田川裕之, 柳谷隆彦, 長康雄]
通讯作者：
長康雄
共 7 条
Nondestructive Measurement Method for Depth Profile of Nonlinear Dielectric Properties and Domain Structure in Piezoelectric Devices
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批准号：18K04950
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2018
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负责人：ODAGAWA HIROYUKI
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依托单位：
海外基金