Laser Crystallization of non two-dimensional Si substrates and their device application

非二维硅衬底激光晶化及其器件应用

• 批准号: 20246006
• 负责人: URAOKA Yukiharu
• 金额: $ 20.97万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20246006/
• 关键词: レーザ結晶化; 薄膜トランジスタ; 薄膜フォトダイオード; 三次元デバイス; ディスプレイ; 多結晶シリコン; 非二次元基板; フォトダイオード; グリーンレーザ; 三次元素子; 多結晶; ファイバー; 積層シリコン薄膜

We crystallized one dimensional or three dimensional silicon thin film and applied this method to the fabrication of thin film transistors or thin film photo diodes. We demonstrated the effectiveness of this technique by operating high functional devices. This method is promising for the realization of next generation information devices.

我们将一维或三维硅薄膜晶化，并将此方法应用于薄膜晶体管或薄膜光电二极管的制作。我们通过操作高功能器械证明了该技术的有效性。该方法对实现下一代信息设备具有重要的意义。

项目成果

Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional Device Application

绿光激光退火结晶在三维器件中的应用

• 发表时间: 2009
• 作者: T.Yamashita;Y.Sugawara;Y.Uraoka;T.Fuyuki;M.Kimura
• 通讯作者: M.Kimura

Thermal Analysis of Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin-Film Transistors

• DOI: 10.1143/jjap.47.6236
• 发表时间: 2008-08-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 1.5
• 作者: Fujii, Mami;Yano, Hiroshi;Kwon, Jang Yeon
• 通讯作者: Kwon, Jang Yeon

Experimental and Theoretical Analysis of In2O3-Ga2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress

恒压应力下In2O3-Ga2O3-ZnO薄膜晶体管的实验与理论分析

• 发表时间: 2008
• 作者: M.Fujii;Y.Uraoka;T.Fuyuki;J.Jun;J.Kwon
• 通讯作者: J.Kwon

薄膜トランジスタ(薄膜材料デバイス研究会)

薄膜晶体管（薄膜材料与器件研究组）

• 发表时间: 2008
• 作者: M.Wilde;K.Fukutani;浦田千尋,山内悠輔,青山祐子,黒田一幸;浦岡行治(共著)
• 通讯作者: 浦岡行治(共著)

Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films

双层硅薄膜的脉冲绿光激光退火结晶

• 发表时间: 2009
• 作者: Y. Sugawara;H. Yano;T;Hatayama;Y. Uraoka;T. Fuyuki
• 通讯作者: T. Fuyuki