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Laser Crystallization of non two-dimensional Si substrates and their device application

Laser Crystallization of non two-dimensional Si substrates and their device application
非二维硅衬底激光晶化及其器件应用
批准号：
20246006
负责人：
URAOKA Yukiharu
金额：
$20.97万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20246006/
关键词：
レーザ結晶化薄膜トランジスタ薄膜フォトダイオード三次元デバイスディスプレイ多結晶シリコン非二次元基板フォトダイオードグリーンレーザ三次元素子多結晶ファイバー積層シリコン薄膜

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We crystallized one dimensional or three dimensional silicon thin film and applied this method to the fabrication of thin film transistors or thin film photo diodes. We demonstrated the effectiveness of this technique by operating high functional devices. This method is promising for the realization of next generation information devices.
期刊论文(58)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional Device Application
绿光激光退火结晶在三维器件中的应用
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Yamashita, Y.Sugawara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Kimura]
通讯作者： M.Kimura
Thermal Analysis of Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin-Film Transistors
DOI： 10.1143/jjap.47.6236
发表时间： 2008-08-01
期刊： JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 1.5
作者： [Fujii, Mami, Yano, Hiroshi, Kwon, Jang Yeon]
通讯作者： Kwon, Jang Yeon
Experimental and Theoretical Analysis of In2O3-Ga2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress
恒压应力下In2O3-Ga2O3-ZnO薄膜晶体管的实验与理论分析
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Fujii, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.Jun, J.Kwon]
通讯作者： J.Kwon
薄膜トランジスタ(薄膜材料デバイス研究会)
薄膜晶体管（薄膜材料与器件研究组）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Wilde, K.Fukutani, 浦田千尋,山内悠輔,青山祐子,黒田一幸, 浦岡行治(共著)]
通讯作者： 浦岡行治(共著)
共 36 条
    Highly reliable GaN power device fabricated using supercritical water
    • 批准号：
      16H04332
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.73万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      URAOKA Yukiharu
    • 依托单位：
      Nara Institute of Science and Technology
    Low temperature polycrystalline thin film transistors for next generation high performance display
    • 批准号：
      23360137
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.65万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      URAOKA Yukiharu
    • 依托单位：
      Nara Institute of Science and Technology
    Research of Bio-nano Display using Ferritin Protein
    • 批准号：
      17360164
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.47万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      URAOKA Yukiharu
    • 依托单位：
      Nara Institute of Science and Technology
    Two dimensional crystallization of ferritin protein for nano-scale process in semiconductor fabrication
    • 批准号：
      15360013
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.64万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      URAOKA Yukiharu
    • 依托单位：
      Nara Institute of Science and Technology
    海外基金