课题基金 / 基金详情

Study of InSb-related CMOS on Si substrate with surface reconstruction controled epitaxy

Study of InSb-related CMOS on Si substrate with surface reconstruction controled epitaxy
表面重构控制外延Si衬底上InSb相关CMOS的研究
批准号：
18H01496
负责人：
Mori Masayuki
金额：
$11.23万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01496/
关键词：
InSbMOSFETs表面再構成制御成長法GaSb界面準位マニピュレータナノスフィアリソグラフィーMOSFETMBEALDSurface reconstructionHeteroepitaxyAl2O3GaSb単分子層積層順pMOSFETゲート絶縁膜低成長レート双晶ヘテロエピタキシャルCMOS

项目摘要

项目成果

Mori Masayuki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Effect of flux ratio on GaSb films grown at a low temperature on Si(111)
通量比对Si(111)上低温生长GaSb薄膜的影响
DOI： 10.1109/iciev.2019.8858576
发表时间： 2019
期刊： Proceedings of ICIEV-&-ICIVPR 2019
影响因子： --
作者： [A. A. Md. Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koihci Maezawa]
通讯作者： Koihci Maezawa
GaSb/Si(111)基板上へのInSbのエピタキシャル薄膜の作製と評価
GaSb/Si(111)衬底上InSb外延薄膜的制备与评价
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [長橋栄臣, 森雅之, 前澤宏一]
通讯作者： 前澤宏一
Influence of Areal Ratio of InSb and GaSb bi-layers on Growth of InGaSb Thin Films on Si(111) Substrate
InSb和GaSb双层面积比对Si(111)衬底上InGaSb薄膜生长的影响
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Masayuki MORI, Jotaro INOUE, Koichi MAEZAWA]
通讯作者： Koichi MAEZAWA
極微電子工学講座
微电子课程
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 16 条
    Elucidation of pathoetiology of porphyria by using a mouse model
    • 批准号：
      19K06455
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Mori Masayuki
    • 依托单位：
      Shinshu University
    Validity of Shorter Dual Antiplatelet therapy in Polymer-free Drug Coated Stent: Evidence from Porcine Coronary Model
    • 批准号：
      18K15842
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Mori Masayuki
    • 依托单位：
      Kanazawa University
    Calcium dysregulation by channelophay and pahological role in kidney podocyte
    Presenting information that adapts to the user's kansei in the contents of tour guide
    • 批准号：
      16K00427
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Mori Masayuki
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
    碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究
    • 批准号：
      61904044
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      26.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      于成浩
    • 依托单位：
      杭州电子科技大学
    高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究
    • 批准号：
      61404098
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      26.0万元
    • 批准年份：
      2014
    • 负责人：
      宋庆文
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究
    • 批准号：
      61306111
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      28.0万元
    • 批准年份：
      2013
    • 负责人：
      张国和
    • 依托单位：
      西安交通大学