Study of InSb-related CMOS on Si substrate with surface reconstruction controled epitaxy
表面重构控制外延Si衬底上InSb相关CMOS的研究
基本信息
- 批准号:18H01496
- 负责人:
- 金额:$ 11.23万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Effect of flux ratio on GaSb films grown at a low temperature on Si(111)
通量比对Si(111)上低温生长GaSb薄膜的影响
- DOI:10.1109/iciev.2019.8858576
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. A. Md. Monzur-Ul-Akhir;Masayuki Mori;Koihci Maezawa
- 通讯作者:Koihci Maezawa
GaSb/Si(111)基板上へのInSbのエピタキシャル薄膜の作製と評価
GaSb/Si(111)衬底上InSb外延薄膜的制备与评价
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長橋栄臣;森雅之;前澤宏一
- 通讯作者:前澤宏一
Influence of Areal Ratio of InSb and GaSb bi-layers on Growth of InGaSb Thin Films on Si(111) Substrate
InSb和GaSb双层面积比对Si(111)衬底上InGaSb薄膜生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masayuki MORI;Jotaro INOUE;Koichi MAEZAWA
- 通讯作者:Koichi MAEZAWA
Si(111) 基板上へのGaSb薄膜成長における基板温度依存性
Si(111) 衬底上 GaSb 薄膜生长的衬底温度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:白山綾輔;森雅之;前澤宏一
- 通讯作者:前澤宏一
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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森政之
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- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Mori Masayuki;Liu Chang;Yoshizawa Takahiro;Miyahara Hiroki;Dai Jian;Igarashi Yuichi;Cui Xiaoran;Li Ying;Kang Xiaojing;Higuchi Keiichi;森政之;森政之 - 通讯作者:
森政之
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网状内皮系统中的巨噬细胞抑制小鼠载脂蛋白 A-II 淀粉样变性的早期诱导阶段
- DOI:
10.1080/13506129.2022.2153667 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:5.5
- 作者:
Miyahara Hiroki;Dai Jian;Li Ying;Cui Xiaoran;Takeuchi Hibiki;Hachiya Naomi;Kametani Fuyuki;Yazaki Masahide;Mori Masayuki;Higuchi Keiichi - 通讯作者:
Higuchi Keiichi
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- 资助金额:
$ 11.23万 - 项目类别:
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$ 11.23万 - 项目类别:
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