A breakthrough in ultra-high integration of ferroelectric memories
A breakthrough in ultra-high integration of ferroelectric memories
铁电存储器超高集成度的突破
批准号：
16H04354
负责人：
Fujisawa Hironori
金额：
$10.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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配向BiFeO3薄膜への帯電ドメインウォールの導入
将带电畴壁引入定向 BiFeO3 薄膜
将带电畴壁引入定向 BiFeO3 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[黒川 悠太, 中嶋 誠二, 藤沢 浩訓, 清水 勝]
通讯作者：
清水 勝
Fabrication of (Hf,Zr)O2 capacitors using ZnO nanowires as a template
以ZnO纳米线为模板制备(Hf,Zr)O2电容器
以ZnO纳米线为模板制备(Hf,Zr)O2电容器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Fujisawa, M. Shimizu and S. Nakashima]
通讯作者：
M. Shimizu and S. Nakashima
ZnOナノワイヤ上でのHf1-xZrxO2薄膜の結晶化
ZnO 纳米线上 Hf1-xZrxO2 薄膜的结晶
ZnO 纳米线上 Hf1-xZrxO2 薄膜的结晶
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[竹内 洋平, 兼松 宏行, 小高 雄哉, 福島 宏昌, 藤沢 浩訓, 中嶋 誠二, 清水 勝]
通讯作者：
清水 勝
Fabrication of ZnO/HfO2/ZnO nanowire capacitors by MOCVD
MOCVD 制备 ZnO/HfO2/ZnO 纳米线电容器
MOCVD 制备 ZnO/HfO2/ZnO 纳米线电容器
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Takeuchi, H. Fujisawa, M. Shimizu and S. Nakashima]
通讯作者：
M. Shimizu and S. Nakashima
Self-regulation of Bi/(Bi+Fe) ratio in metalorganic chemical vapor deposition of BiFeO3 thin films
BiFeO3 薄膜金属有机化学气相沉积中 Bi/(Bi Fe) 比例的自调节
BiFeO3 薄膜金属有机化学气相沉积中 Bi/(Bi Fe) 比例的自调节
DOI：
10.7567/jjap.56.10pf05
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Fujisawa Hironori, Yoshimura Nao, Nakashima Seiji, Shimizu Masaru]
通讯作者：
Shimizu Masaru
共 27 条
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