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Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits

Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
通过集成室温工作单电子晶体管和大规模 CMOS 电路创造新功能
批准号：
23246064
负责人：
Hiramoto Toshiro
金额：
$31.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23246064/
关键词：
単電子トランジスタBeyond CMOSCMOS集積回路MOSFETクーロンブロッケード振動ナノワイヤ半導体物性大規模集積回路ナノワイヤトランジスタ特性ばらつき電子デバイス・機器

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Peak Position Control of Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature
室温下浮栅硅单电子晶体管库仑封锁振荡的峰值位置控制
DOI： 10.7567/jjap.53.04ej08
发表时间： 2014
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Yuma Tanahashi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto]
通讯作者： Toshiro Hiramoto
Characteristics Control of Single Electron Transistor with Floating Gate by Charge Pump Circuit
电荷泵电路对浮栅单电子晶体管特性的控制
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [永妻 忠夫, 久武 信太郎, Motoki Nozue]
通讯作者： Motoki Nozue
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发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [J.Serrano, et al., 鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎]
通讯作者： 鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
Integration of 1-bit CMOS Address Decoders and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature
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DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto]
通讯作者： and Toshiro Hiramoto
共 20 条
    Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
    • 批准号：
      17K18866
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Hiramoto Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
    • 批准号：
      15K13967
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Hiramoto Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
    • 批准号：
      15H02247
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.04万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Hiramoto Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金