Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
批准号:
23246064
负责人:
Hiramoto Toshiro
金额:
$31.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011-04-01 至 2016-03-31
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Peak Position Control of Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature
室温下浮栅硅单电子晶体管库仑封锁振荡的峰值位置控制
DOI:
10.7567/jjap.53.04ej08
发表时间:
2014
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Yuma Tanahashi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto]
通讯作者:
Toshiro Hiramoto
Characteristics Control of Single Electron Transistor with Floating Gate by Charge Pump Circuit
电荷泵电路对浮栅单电子晶体管特性的控制
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[永妻 忠夫, 久武 信太郎, Motoki Nozue]
通讯作者:
Motoki Nozue
Increased Drain-Induced Variability and Within-Device Variability in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
宽度低至 2nm 的极窄硅纳米线 MOSFET 中的漏极感应变异性和器件内变异性有所提高
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[芹田和則, 村上博成, 川山巌, 高橋義典, 吉村政志, 森勇介, 斗内政吉, Tomoko Mizutani]
通讯作者:
Tomoko Mizutani
室温動作シリコン単電子トランジスタとCMOSアナログセレクタ回路の集積化
室温硅单电子晶体管与CMOS模拟选择器电路的集成
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J.Serrano, et al., 鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎]
通讯作者:
鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎
Integration of 1-bit CMOS Address Decoders and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature
1 位 CMOS 地址解码器和室温下工作的单电子晶体管的集成
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto]
通讯作者:
and Toshiro Hiramoto
共 20 条
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
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批准号:17K18866
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2017
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负责人:Hiramoto Toshiro
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依托单位:
Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
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批准号:15K13967
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2015
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负责人:Hiramoto Toshiro
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依托单位:
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
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批准号:15H02247
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.04万
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财政年份:2015
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负责人:Hiramoto Toshiro
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依托单位:
海外基金