Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics

单一杂质原子对纳米晶体管特性统计影响的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    26630148
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Basic research on ultra-low voltage MOS transistors aiming at sub-100mV operation
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  • 批准号:
    25630135
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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Nano MOSFET 波动和器件完整性
  • 批准号:
    18063006
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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室温下运行的单电子、量子、CMOS集成电路的硅纳米器件研究
  • 批准号:
    16201029
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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抑制波动的纳米级MOSFET的物理和集成探索
  • 批准号:
    13450135
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Silicon Nano-Devices with High Controllability beyond Lithography Limit
超越光刻极限的高可控性硅纳米器件的制造
  • 批准号:
    10450112
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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利用量子效应提高薄膜SOI MOSFET性能并抑制波动的研究
  • 批准号:
    10555117
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
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    08455161
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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0.1微米以下薄膜SOI CMOS LSI器件的特性波动
  • 批准号:
    07555109
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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    62334004
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    2023
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    重点项目
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  • 批准号:
    12375268
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    53.00 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于电场筛的沟槽型碳化硅MOSFET栅介质氧化机理研究
  • 批准号:
    62304245
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    2023
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界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    2024
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SiCパワーMOSFETの高速自己調整デジタルアクティブゲートドライバ開発
SiC功率MOSFET高速自调节数字有源栅极驱动器的开发
  • 批准号:
    23K26094
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
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  • 批准号:
    24K00934
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    2024
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コンピュータによる制御パターンの探索を省略可能なアクティブゲート駆動回路
有源栅极驱动电路,无需计算机搜索控制模式
  • 批准号:
    23K13325
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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