Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
批准号:
26630148
负责人:
HIRAMOTO Toshiro
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2015-03-31
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Basic research on ultra-low voltage MOS transistors aiming at sub-100mV operation
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批准号:25630135
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2013
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
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批准号:18063006
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$32.77万
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财政年份:2006
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
A research on silicon nano-devices for single-electron, quantum, CMOS integrated circuits operating at room temperature
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批准号:16201029
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$31.7万
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财政年份:2004
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
Exploration of Physics and Integration of Nano-Scale MOSEFET with Suppressed Fluctuations
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批准号:13450135
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.47万
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财政年份:2001
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
Fabrication of Silicon Nano-Devices with High Controllability beyond Lithography Limit
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批准号:10450112
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.7万
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财政年份:1998
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
Study on Performance Increase and Fluctuation Suppression in Thin Film SOI MOSFET by utilizing quantum effects
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批准号:10555117
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
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资助金额:$8.06万
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财政年份:1998
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
Investigation of Oxidation Mechanisms in SOI Structures
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批准号:08455161
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$4.86万
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财政年份:1996
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
Fluctuations of Characteristics in Sub-0.1mum Thin Film SOI CMOS LSI Devices
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批准号:07555109
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$6.78万
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财政年份:1995
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负责人:HIRAMOTO Toshiro
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依托单位:
国内基金
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空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
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批准号:2026JJ60454
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:桂庆忠
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依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2025
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负责人:于安宁
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依托单位:
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
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批准号:JCZRQT202500104
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2025
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负责人:
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高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
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批准号:2024JJ5044
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2024
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负责人:吴丽娟
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依托单位:
车规级碳化硅MOSFET阈值漂移规律及其抑制方法研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2024
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负责人:蒋华平
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依托单位:
舰船电源应用背景下的 SiC MOSFET/SiIGBT
拓扑混合模块辐射干扰预测研究
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批准号:TGS24E070005
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2024
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负责人:彭子舜
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依托单位:
极端温度环境下MOSFET器件模型和可靠性研究
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项目类别:省市级项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2024
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负责人:杜江锋
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负责人:刘超
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依托单位:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:邓小川
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依托单位:
具有集成肖特基二极管的逆导型氧化镓MOSFET机理与实验研究
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批准号:62374028
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项目类别:面上项目
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资助金额:48万元
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批准年份:2023
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负责人:魏杰
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依托单位: