Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
批准号:
26630148
负责人:
HIRAMOTO Toshiro
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Basic research on ultra-low voltage MOS transistors aiming at sub-100mV operation
-
批准号:25630135
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额:$2.58万
-
财政年份:2013
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
-
批准号:18063006
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$32.77万
-
财政年份:2006
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
A research on silicon nano-devices for single-electron, quantum, CMOS integrated circuits operating at room temperature
-
批准号:16201029
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$31.7万
-
财政年份:2004
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
Exploration of Physics and Integration of Nano-Scale MOSEFET with Suppressed Fluctuations
-
批准号:13450135
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$9.47万
-
财政年份:2001
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
Fabrication of Silicon Nano-Devices with High Controllability beyond Lithography Limit
-
批准号:10450112
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$8.7万
-
财政年份:1998
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
Study on Performance Increase and Fluctuation Suppression in Thin Film SOI MOSFET by utilizing quantum effects
-
批准号:10555117
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
-
资助金额:$8.06万
-
财政年份:1998
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
Investigation of Oxidation Mechanisms in SOI Structures
-
批准号:08455161
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$4.86万
-
财政年份:1996
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
Fluctuations of Characteristics in Sub-0.1mum Thin Film SOI CMOS LSI Devices
-
批准号:07555109
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$6.78万
-
财政年份:1995
-
负责人:HIRAMOTO Toshiro
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
-
批准号:2026JJ60454
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:桂庆忠
-
依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:于安宁
-
依托单位:
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
-
批准号:JCZRQT202500104
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:
-
依托单位:
氧化镓双沟槽MOSFET电荷输运与电场调控机理及实现
-
批准号:62504045
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:许晓锐
-
依托单位:
碳化硅MOSFET器件栅氧电荷演变的多物理场作用机制及其调控方法
-
批准号:52507004
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:蔡雨萌
-
依托单位:
单个重离子引起SiC MOSFET材料微观损伤演化及器件漏电退化机理研究
-
批准号:12505316
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:闫晓宇
-
依托单位:
SiC MOSFET器件单粒子烧毁的中子能量依赖性研究
-
批准号:12505342
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:莫莉华
-
依托单位:
重离子辐照下SiC MOSFET栅氧潜损伤的产生及演化机制研究
-
批准号:12405322
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:梁晓雯
-
依托单位:
基于栅极主动控制的SiC MOSFET瞬态特性协同自适应调控机理与方法
-
批准号:52407231
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:李鑫
-
依托单位:
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
新结构研究
-
批准号:2024JJ5044
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:吴丽娟
-
依托单位: