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Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
单一杂质原子对纳米晶体管特性统计影响的基础研究
基本信息
- 批准号：26630148
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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18063006 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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16201029 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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超越光刻极限的高可控性硅纳米器件的制造
- 批准号：
10450112 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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利用量子效应提高薄膜SOI MOSFET性能并抑制波动的研究
- 批准号：
10555117 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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Investigation of Oxidation Mechanisms in SOI Structures
SOI 结构氧化机制的研究
- 批准号：
08455161 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fluctuations of Characteristics in Sub-0.1mum Thin Film SOI CMOS LSI Devices
0.1微米以下薄膜SOI CMOS LSI器件的特性波动
- 批准号：
07555109 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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相似国自然基金
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
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新结构研究
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- 批准号：52377200
- 批准年份：2023
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相似海外基金
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
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- 批准号：
24KJ1553 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
23K26094 - 财政年份：2024
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SiC MOSFET 快速自调节数字有源栅极驱动器的开发
- 批准号：
23H01399 - 财政年份：2023
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- 批准号：
22K04224 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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使用多输出 MOSFET 探测物联网设备的长期运行环境
- 批准号：
21K04091 - 财政年份：2021
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$ 2.5万 - 项目类别：
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$ 2.5万 - 项目类别：
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- 批准号：
21K14213 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Development of reliable SiC MOSFET power modules
开发可靠的SiC MOSFET功率模块
- 批准号：
21H01311 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)