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Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics

Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
单一杂质原子对纳米晶体管特性统计影响的基础研究
批准号:
26630148
负责人:
HIRAMOTO Toshiro
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2015-03-31

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Basic research on ultra-low voltage MOS transistors aiming at sub-100mV operation
  • 批准号:
    25630135
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额:
    $2.58万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    HIRAMOTO Toshiro
  • 依托单位:
Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
  • 批准号:
    18063006
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $32.77万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    HIRAMOTO Toshiro
  • 依托单位:
A research on silicon nano-devices for single-electron, quantum, CMOS integrated circuits operating at room temperature
  • 批准号:
    16201029
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $31.7万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    HIRAMOTO Toshiro
  • 依托单位:
Exploration of Physics and Integration of Nano-Scale MOSEFET with Suppressed Fluctuations
  • 批准号:
    13450135
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $9.47万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    HIRAMOTO Toshiro
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
  • 批准号:
    2026JJ60454
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    桂庆忠
  • 依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    于安宁
  • 依托单位:
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
  • 批准号:
    2024JJ5044
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    吴丽娟
  • 依托单位: