课题基金 / 基金详情

Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism

Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
具有阈值电压自调节机制的超低压工作硅纳米线晶体管
批准号：
15K13967
负责人：
Hiramoto Toshiro
金额：
$2.5万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13967/
关键词：
半導体物性大規模集積回路MOSFETナノワイヤトランジスタしきい値電圧自己調整MOSトランジスタ規模集積回路

项目摘要

项目成果

Hiramoto Toshiro的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Vth Self-Adjusting Tri-Gate Nanowire MOSFET for Stability Improvement of SRAM Cell Operating at 0.1 V
Vth 自调节三栅极纳米线 MOSFET，可提高在 0.1V 电压下运行的 SRAM 单元的稳定性
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Seung-Min Jung]
通讯作者： Seung-Min Jung
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
  • 批准号：
    17K18866
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $4.16万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Hiramoto Toshiro
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
  • 批准号：
    15H02247
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $28.04万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Hiramoto Toshiro
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
  • 批准号：
    23246064
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $31.28万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    Hiramoto Toshiro
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
海外基金