Mikromagnetismus und Transportverhalten von (Ga,Mn)As Nanostrukturen

(Ga,Mn)As纳米结构的微磁性和输运行为

• 批准号: 61007550
• 负责人: Professor Dr. Georg Schmidt
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentelle Physik III
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/61007550?language=en
• 关键词: Mikromagnetismus; und; Transportverhalten; von; Ga

Aufgrund der starken Anisotropie und des geringen magnetischen Moments verhält sich die Magnetisierung von (Ga,Mn)As deutlich anders als die ferromagnetischer Metalle. Ein Verständnis dieses Verhaltens ist wichtig für die Entwicklung magnetoelektronischer Nanobauelemente.In diesem Vorhaben soll zunächst an Einzelstrukturen und Arrays von (Ga,Mn)As-Nanostrukturen die Magnetisierungsdynamik untersucht werden. Basierend auf diesen Forschungen werden anschließend magnetische Nanostrukturen mit unterschiedlicher Anisotropie, bzw. unterschiedlichen Koerzitivfeldern hergestellt, die über Einschnürungen von wenigen 10 nm Breite gekoppelt sind. An diesen gekoppelten Strukturen werden Transportexperimente durchgeführt, bei denen Domänenwände gezielt an einer solchen Einschnürung eingefangen und durch Strompulse zwischen verschiedenen Einschnürungen kontrolliert hin- und herbewegt werden. Die Magnetisierungszustände einzelner Nanostrukturen können hierbei entweder durch Widerstandsmessungen oder durch lokale Tunnelkontakte ausgelesen werden. Auf diese Art und Weise werden die notwendigen Grundlagen für neue extrem kleine Magnetowiderstandselemente für programmierbare Elektronik geschaffen.

各向异性磁体和磁体各向异性磁体的磁化强度很高，如铁磁性材料(Ga，Mn)和铁磁性材料。介绍了一种新型的纳米磁电材料--纳米材料，并对其性能进行了研究。在此基础上，提出了一种纳米磁性纳米材料的制备方法，并对其性能进行了测试。在运输过程中，我们进行了一次运输试验，并在此基础上提出了一种新的解决方案。纳米材料在更广泛的范围内交织在一起，形成了一种新型的纳米材料。AUF Diese Art and Weise是Grundlagen für Neue Extrem Kleine Magnetowis Standselemente für Programmabare Elektronik Geschaffen的标准。

项目成果

Induced magnetic anisotropy in lifted (Ga,Mn)As thin films

• DOI: 10.1063/1.3597301
• 发表时间: 2011-06
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: F. Greullet;L. Ebel;F. Münzhuber;S. Mark;G. Astakhov;T. Kießling;C. Schumacher;C. Gould;K. Brunner;W. Ossau;L. Molenkamp

Fully electrical read-write device out of a ferromagnetic semiconductor.

• DOI: 10.1103/physrevlett.106.057204
• 发表时间: 2010-12
• 期刊: Physical review letters
• 影响因子: 8.6
• 作者: S. Mark;P. Dürrenfeld;K. Pappert;L. Ebel;K. Brunner;C. Gould;L. Molenkamp

Local domain sensing with nanostructured tunneling anisotropic magneto resistance probes

使用纳米结构隧道各向异性磁阻探针进行局域传感

• DOI: 10.1063/1.3662444
• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: S. Mark.