新非線形媒質からの超短パルスレーザー誘起共鳴振動によるTHZ電磁波発生と反応制御

新型非线性介质超短脉冲激光诱导谐振振动的太赫兹电磁波产生和反应控制

基本信息

项目摘要

現在までに、磁場を印加した半導体にフェムト秒レーザーを照射することにより、非常に強い強度をもったテラヘルツ電磁波を発生することに成功している。このテラヘルツ電磁波はX線を用いない透過技術の発展に大きく貢献するものと考えられるばかりでなく、新たな通信領域の開発など、様々な潜在的可能性を秘めている。しかし、現状では未だにミリワットクラスの電磁波を発生させることが出来ているだけで、実用化のためにはより大きな出力をもった放射源を開発することが必要がある。そこで、本年度はこのテラヘルツ電磁波の発生機構の詳細をを解明するため、真空漕内で清浄表面を調製し、フェムト秒チタンサファイヤレーザー励起により、清浄表面からのテラヘルツ電磁波の発生とその放射強度の温度特性を検討した。試料にはInAs(100)を用い、Arイオンスパッタリングの後、600℃で数回のアニールを行い、RHEEDにより清浄化されていることを確かめた。清浄表面からテラヘルツ電磁波の強度は、清浄前の強度の約2〜3倍の強度を示した。さらに、温度依存性を測定したところ、テラヘルツ電磁波の強度が温度により大きく変化することがわかった。
Now, the magnetic field is applied to the semiconductor, and the electromagnetic wave is generated successfully. The development of electromagnetic wave X-ray technology contributes greatly to the development of new communication fields, and the potential for development of new communication fields is also discussed. The current situation is that it is necessary to generate electromagnetic waves and to generate large amounts of power. This year, we will explain in detail the mechanism for generating electromagnetic waves, and discuss the temperature characteristics of radiation intensity of the electromagnetic waves generated from the surface of the vacuum tank. Sample InAs(100) is used, Ar is used, 600℃ is used for several cycles, RHEED is used for cleaning. The intensity of electromagnetic waves on the surface of the cleaning machine is about 2 ~ 3 times that of the intensity before cleaning. The temperature dependence of electromagnetic waves is measured.

项目成果

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T.Miyazawa,et al: "Photodegradation of Polysilane Polymers by Nonresonant Two-Photon Excitation" J.Am.Chem.Soc.120. 1084-1085 (1998)
T.Miyazawa 等人:“非共振双光子激发对聚硅烷聚合物的光降解”J.Am.Chem.Soc.120。
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T.Miyazawa,et.al: "Remarkable Suppression of [2+2] Cycloaddition during Nonresonant Two-photon Photoreaction of trans-stilbene in the Presence of Tetramethylethylene" Photochem Photobiol.66. 566-568 (1997)
T.Miyazawa 等人:“在四甲基乙烯存在下反式二苯乙烯的非共振双光子光反应过程中 [2 2] 环加成的显着抑制”Photochem Photobiol.66。
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Y.Tajima,H.Ishikawa,Y.Shimanuki,T.Miyazawa,N.Mikami,M.Kira: "Microscopic Solvation Effects on Si-Si Bond Clearage Reactions Cluster Cation Radicals(p-Cyanophenyl)pentamethyldisilane with Hydroxylic Molecules" Chemistry Letters. 415-416 (1998)
Y.Tajima、H.Ishikawa、Y.Shimanuki、T.Miyazawa、N.Mikami、M.Kira:“微观溶剂化作用对 Si-Si 键清除反应簇阳离子自由基(对氰基苯基)五甲基二硅烷与羟基分子的影响”化学快报
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T.Miyazawa,T.Saeki,C.Liu,M,Kira: "Photodegradation of Polysilane Polymers by Nonresonant Two Photon Excitation" Journal of American Chemical Society. 120. 1084-1085 (1998)
T.Miyazawa、T.Saeki、C.Liu、M、Kira:“非共振二光子激发聚硅烷聚合物的光降解”美国化学会杂志。
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Mitsuo Kira,Takashi Miyazawa: "The chemistry of organic silicon compounds Volume 2" John Wiley & Sons, 26 (1998)
Mitsuo Kira、Takashi Miyazawa:《有机硅化合物的化学第 2 卷》John Wiley
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