新非線形媒質からの超短パルスレーザー誘起共鳴振動によるTHZ電磁波発生と反応制御

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現在までに、磁場を印加した半導体にフェムト秒レーザーを照射することにより、非常に強い強度をもったテラヘルツ電磁波を発生することに成功している。このテラヘルツ電磁波はX線を用いない透過技術の発展に大きく貢献するものと考えられるばかりでなく、新たな通信領域の開発など、様々な潜在的可能性を秘めている。しかし、現状では未だにミリワットクラスの電磁波を発生させることが出来ているだけで、実用化のためにはより大きな出力をもった放射源を開発することが必要がある。そこで、本年度はこのテラヘルツ電磁波の発生機構の詳細をを解明するため、真空漕内で清浄表面を調製し、フェムト秒チタンサファイヤレーザー励起により、清浄表面からのテラヘルツ電磁波の発生とその放射強度の温度特性を検討した。試料にはInAs(100)を用い、Arイオンスパッタリングの後、600℃で数回のアニールを行い、RHEEDにより清浄化されていることを確かめた。清浄表面からテラヘルツ電磁波の強度は、清浄前の強度の約2〜3倍の強度を示した。さらに、温度依存性を測定したところ、テラヘルツ電磁波の強度が温度により大きく変化することがわかった。