Development of Heteroepitaxial Diamond Wafers by Controlled Buffer Layers
Development of Heteroepitaxial Diamond Wafers by Controlled Buffer Layers
通过控制缓冲层开发异质外延金刚石晶片
批准号：
26820110
负责人：
Iwasaki Takayuki
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
10.1109/led.2015.2513074
发表时间：
2016-02
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
[Taisuke Suwa;T. Iwasaki;Kazuki Sato;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Hatano]
通讯作者：
Taisuke Suwa;T. Iwasaki;Kazuki Sato;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Hatano
Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on 3C-SiC / Si (111) Substrates by Pulse Bias Enhanced Nucleation
利用脉冲偏压增强成核技术在 3C-SiC/Si (111) 基底上异质外延生长高取向金刚石薄膜
利用脉冲偏压增强成核技术在 3C-SiC/Si (111) 基底上异质外延生长高取向金刚石薄膜
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takeru Suto, Junya Yaita , Takayuki Iwasaki , Mutsuko Hatano]
通讯作者：
Mutsuko Hatano
3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長
3C-SiC(111)/Si(111)上高取向金刚石的异质外延生长
3C-SiC(111)/Si(111)上高取向金刚石的异质外延生长
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[須藤 建瑠, 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 波多野 睦子]
通讯作者：
波多野 睦子
パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成
脉冲偏压成核法在3C-SiC(111)/Si(111)上合成高取向金刚石
脉冲偏压成核法在3C-SiC(111)/Si(111)上合成高取向金刚石
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[須藤 建瑠, 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 波多野 睦子]
通讯作者：
波多野 睦子
hotoelectrochemical CO2 reduction on 3C-SiC photoanode in aqueous solution
水溶液中 3C-SiC 光阳极上的热电化学 CO2 还原
水溶液中 3C-SiC 光阳极上的热电化学 CO2 还原
DOI：
10.7567/jjap.54.04dh13
发表时间：
2015
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[J. Yaita, T. Iwasaki, M. Natal, M. Hatano]
通讯作者：
M. Hatano
共 17 条
Quantum sensing of wide bandgap power devices
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批准号：18H01472
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2018
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负责人：Iwasaki Takayuki
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依托单位：
海外基金