Development of Heteroepitaxial Diamond Wafers by Controlled Buffer Layers
通过控制缓冲层开发异质外延金刚石晶片
基本信息
- 批准号:26820110
- 负责人:
- 金额:$ 2.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
Normally-Off Diamond Junction Field-Effect Transistors With Submicrometer Channel
- DOI:10.1109/led.2015.2513074
- 发表时间:2016-02
- 期刊:
- 影响因子:4.9
- 作者:Taisuke Suwa;T. Iwasaki;Kazuki Sato;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Hatano
- 通讯作者:Taisuke Suwa;T. Iwasaki;Kazuki Sato;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Hatano
Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on 3C-SiC / Si (111) Substrates by Pulse Bias Enhanced Nucleation
利用脉冲偏压增强成核技术在 3C-SiC/Si (111) 基底上异质外延生长高取向金刚石薄膜
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeru Suto;Junya Yaita ;Takayuki Iwasaki ;Mutsuko Hatano
- 通讯作者:Mutsuko Hatano
3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長
3C-SiC(111)/Si(111)上高取向金刚石的异质外延生长
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:須藤 建瑠;矢板 潤也;岩崎 孝之;波多野 睦子
- 通讯作者:波多野 睦子
パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成
脉冲偏压成核法在3C-SiC(111)/Si(111)上合成高取向金刚石
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:須藤 建瑠;矢板 潤也;岩崎 孝之;波多野 睦子
- 通讯作者:波多野 睦子
hotoelectrochemical CO2 reduction on 3C-SiC photoanode in aqueous solution
水溶液中 3C-SiC 光阳极上的热电化学 CO2 还原
- DOI:10.7567/jjap.54.04dh13
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:J. Yaita;T. Iwasaki;M. Natal;M. Hatano
- 通讯作者:M. Hatano
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Iwasaki Takayuki其他文献
Determination of Current Leakage Sites in Diamond p-n Junction
金刚石 p-n 结电流泄漏点的确定
- DOI:
10.1002/pssa.201900243 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Murooka Takuya;Umezawa Hitoshi;Makino Toshiharu;Ogura Masahiko;Kato Hiromitsu;Yamasaki Satoshi;Iwasaki Takayuki;Pernot Julien;Hatano Mutsuko - 通讯作者:
Hatano Mutsuko
On the molecular electronic flux: Roles of nonadiabaticity and violation of conservation
关于分子电子通量:非绝热性和违反守恒定律的作用
- DOI:
10.1063/5.0049821 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Hoang Tuan Minh;Ishiwata Hitoshi;Masuyama Yuta;Yamazaki Yuichi;Kojima Kazutoshi;Lee Sang-Yun;Ohshima Takeshi;Iwasaki Takayuki;Hisamoto Digh;Hatano Mutsuko;Kota Hanasaki and Kazuo Takatsuka - 通讯作者:
Kota Hanasaki and Kazuo Takatsuka
Transfer-printing-based integration of silicon nitride grating structure on single-crystal diamond toward sensitive magnetometers
基于转移印刷的单晶金刚石氮化硅光栅结构集成到灵敏磁力计
- DOI:
10.1063/5.0107854 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:
Katsumi Ryota;Hizawa Takeshi;Kuwahata Akihiro;Naruse Shun;Hatano Yuji;Iwasaki Takayuki;Hatano Mutsuko;Jelezko Fedor;Onoda Shinobu;Ohshima Takeshi;Sekino Masaki;Yatsui Takashi - 通讯作者:
Yatsui Takashi
Magnetic Field Generation System of the Magnetic Probe With Diamond Quantum Sensor and Ferromagnetic Materials for the Detection of Sentinel Lymph Nodes With Magnetic Nanoparticles
用于磁性纳米颗粒检测前哨淋巴结的金刚石量子传感器和铁磁材料磁探针的磁场产生系统
- DOI:
10.1109/tmag.2020.3009334 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:2.1
- 作者:
Kitaizumi Takahiro;Kuwahata Akihiro;Saichi Kota;Sato Takumi;Igarashi Ryuji;Ohshima Takeshi;Masuyama Yuta;Iwasaki Takayuki;Hatano Mutsuko;Jelezko Fedor;Kusakabe Moriaki;Yatsui Takashi;Sekino Masaki - 通讯作者:
Sekino Masaki
Efficient photon extraction of NV centers in diamond by integrating Si3N4 grating structure on diamond
通过在金刚石上集成 Si3N4 光栅结构,有效提取金刚石中的 NV 中心的光子
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Katsumi Ryota;Hizawa Takeshi;Kuwahata Akihiro;Naruse Shun;Hatano Yuji;Iwasaki Takayuki;Hatano Mutsuko;Jelezko Fedor;Onoda Shinobu;Ohshima Takeshi;Sekino Masaki;Yatsui Takashi;佐藤 大地,勝見 亮太,飛沢 健,鳴瀬 駿,髙田 晃佑,河合健太,八井 崇;河合 健太,勝見 亮太,飛沢 健,鳴瀬 駿,髙田 晃佑,佐藤 大地,八井 崇;髙田 晃佑,勝見 亮太,飛沢 健,鳴瀬 駿,河合 健太,佐藤大地,八井 崇;Ryota Katsumi,Takeshi Hizawa,Akihiro Kuwahata,Shun Naruse,Yuji Hatano,Takayuki Iwasaki,Mutsuko Hatano,Fedor Jelezko,Shinobu Onoda,Takeshi Ohshima,Masaki Sekino,Takashi Yatsui;鳴瀬 駿,勝見亮太,飛沢健,八井崇;Ryota Katsumi,Takeshi Hizawa,Akihiro Kuwahata,Takayuki Iwasaki,Mutsuko Hatano,Fedor Jelezko,Masaki Sekino,Takashi Yatsui - 通讯作者:
Ryota Katsumi,Takeshi Hizawa,Akihiro Kuwahata,Takayuki Iwasaki,Mutsuko Hatano,Fedor Jelezko,Masaki Sekino,Takashi Yatsui
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Quantum sensing of wide bandgap power devices
宽带隙功率器件的量子传感
- 批准号:
18H01472 - 财政年份:2018
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- 资助金额:
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03F00055 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
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ゼオライト薄膜のヘテロエピタキシャル成長による特殊反応場の構築
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08232223 - 财政年份:1996
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$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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05211206 - 财政年份:1993
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$ 2.58万 - 项目类别:
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- 批准号:
04227217 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
シリコン基板上への不整合界面を制御した誘電体のヘテロエピタキシャル成長
硅衬底上具有受控失配界面的电介质的异质外延生长
- 批准号:
04750246 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ACプラズマアシストCVDによるβ-SiCのSiへのヘテロエピタキシャル成長
通过 AC 等离子体辅助 CVD 在 Si 上异质外延生长 β-SiC
- 批准号:
04650016 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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- 批准号:
04205118 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
MBE法によるカルコパライト型IーIIIーVI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长I-III-VI_2型黄铜矿化合物
- 批准号:
02205105 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas














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