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High speed and high aspect ratio reactive ion etching by using high density and ion orbit controlled plasma
使用高密度和离子轨道控制等离子体进行高速、高深宽比反应离子蚀刻
基本信息
- 批准号：26790066
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Plasma discharge characteristics in compact SF6 radio-frequency plasma source for plasma etching application
用于等离子体蚀刻应用的紧凑型 SF6 射频等离子体源的等离子体放电特性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taisei Motomura;Kazunori Takahashi; Yuji Kasashima;Fumihiko Uesugi and Akira Ando
- 通讯作者：Fumihiko Uesugi and Akira Ando
Evaluation of SF<sub>6</sub> Reactive Ion Etching Performance with a Permanent Magnet Located behind the Substrate based on a Simple Design Concept
基于简单设计概念评估位于基板后面的永磁体的 SF<sub>6</sub> 反应离子蚀刻性能
- DOI：10.3131/jvsj2.59.11
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taisei Motomura;Kazunori Takahashi;Yuji Kasashima;Kazuya Kikunaga;Fumihiko Uesugi and Akira Ando
- 通讯作者：Fumihiko Uesugi and Akira Ando
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