High speed and high aspect ratio reactive ion etching by using high density and ion orbit controlled plasma
High speed and high aspect ratio reactive ion etching by using high density and ion orbit controlled plasma
使用高密度和离子轨道控制等离子体进行高速、高深宽比反应离子蚀刻
批准号：
26790066
负责人：
MOTOMURA Taisei
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Plasma discharge characteristics in compact SF6 radio-frequency plasma source for plasma etching application
用于等离子体蚀刻应用的紧凑型 SF6 射频等离子体源的等离子体放电特性
用于等离子体蚀刻应用的紧凑型 SF6 射频等离子体源的等离子体放电特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Taisei Motomura, Kazunori Takahashi, Yuji Kasashima, Fumihiko Uesugi and Akira Ando]
通讯作者：
Fumihiko Uesugi and Akira Ando
Evaluation of SF<sub>6</sub> Reactive Ion Etching Performance with a Permanent Magnet Located behind the Substrate based on a Simple Design Concept
基于简单设计概念评估位于基板后面的永磁体的 SF<sub>6</sub> 反应离子蚀刻性能
基于简单设计概念评估位于基板后面的永磁体的 SF<sub>6</sub> 反应离子蚀刻性能
DOI：
10.3131/jvsj2.59.11
发表时间：
2016
期刊：
Journal of the Vacuum Society of Japan
影响因子：
--
作者：
[Taisei Motomura, Kazunori Takahashi, Yuji Kasashima, Kazuya Kikunaga, Fumihiko Uesugi and Akira Ando]
通讯作者：
Fumihiko Uesugi and Akira Ando
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