Preparation of high quality alloy semiconductors and understanding the solute transport mechanism for the fabrication of cascaded thermoelectric devices
Preparation of high quality alloy semiconductors and understanding the solute transport mechanism for the fabrication of cascaded thermoelectric devices
制备高质量合金半导体并了解级联热电器件制造的溶质输运机制
批准号：
25289087
负责人：
HAYAKAWA YASUHIRO
金额：
$10.57万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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DOI：
10.1088/0953-8984/26/44/445002
发表时间：
2014-11-05
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
影响因子：
2.7
作者：
[Bhatt, Ranu, Patel, Miral, Gupta, S. K.]
通讯作者：
Gupta, S. K.
Numerical simulation of InGaSb crystals growth under Micro-Gravity environment onboard the International Space Station
国际空间站微重力环境下InGaSb晶体生长的数值模拟
国际空间站微重力环境下InGaSb晶体生长的数值模拟
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X.Jin, H.Mirsandi, T.Yamamoto, Y.Takagi, Y.Okano, Y.Inatomi, Y.Hayakawa and S.Dost]
通讯作者：
Y.Hayakawa and S.Dost
Phonon drag effect on Seebeck coefficient in p-type Si1-xGex
声子阻力对 p 型 Si1-xGex 中塞贝克系数的影响
声子阻力对 p 型 Si1-xGex 中塞贝克系数的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H.Ikeda, V.Manimuthu, Y.Suzuki, M.Omprakash, F.Salleh, M.Arivanandhan, Y.Kamakura and Y.Hayakawa]
通讯作者：
Y.Kamakura and Y.Hayakawa
Siのゼーベック係数に与えるフォノンドラッグ効果
声子阻力对 Si 塞贝克系数的影响
声子阻力对 Si 塞贝克系数的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[ファイズ サレ, 荒巻豪士, 鈴木悠平, ベラッパン マニムス, ムスサミ オンプラカシュ, 鎌倉良成, 早川泰弘, 池田浩也]
通讯作者：
池田浩也
高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数
用于高效热电转换器件的SiGe混晶的塞贝克系数
用于高效热电转换器件的SiGe混晶的塞贝克系数
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
信学技報
影响因子：
--
作者：
[K. Tanaka, R. Miyashiro, and Y. Miyamoto, 池田浩也，ベラッパン・マニムス，ムスサミ・オンプラカシュ，鈴木悠平，ファイズ・サレ，ムカンナン・アリバナンドハン，鎌倉良成，早川泰弘]
通讯作者：
池田浩也，ベラッパン・マニムス，ムスサミ・オンプラカシュ，鈴木悠平，ファイズ・サレ，ムカンナン・アリバナンドハン，鎌倉良成，早川泰弘
共 42 条
Fabrication of new dye sensitized solar cell using nickel sulfide electrode and core-shell photo anode
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批准号：16K14229
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2016
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负责人：HAYAKAWA YASUHIRO
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依托单位：
海外基金