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Preparation of high quality alloy semiconductors and understanding the solute transport mechanism for the fabrication of cascaded thermoelectric devices
制备高质量合金半导体并了解级联热电器件制造的溶质输运机制
基本信息
- 批准号：25289087
- 负责人：
- 金额：$ 10.57万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Thermoelectric performance of layered SrxTiSe2 above 300 K
- DOI：10.1088/0953-8984/26/44/445002
- 发表时间：2014-11-05
- 期刊：
- 影响因子：2.7
- 作者：Bhatt, Ranu;Patel, Miral;Gupta, S. K.
- 通讯作者：Gupta, S. K.
Numerical simulation of InGaSb crystals growth under Micro-Gravity environment onboard the International Space Station
国际空间站微重力环境下InGaSb晶体生长的数值模拟
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X.Jin;H.Mirsandi;T.Yamamoto;Y.Takagi;Y.Okano;Y.Inatomi;Y.Hayakawa and S.Dost
- 通讯作者：Y.Hayakawa and S.Dost
Phonon drag effect on Seebeck coefficient in p-type Si1-xGex
声子阻力对 p 型 Si1-xGex 中塞贝克系数的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Ikeda;V.Manimuthu;Y.Suzuki;M.Omprakash;F.Salleh;M.Arivanandhan;Y.Kamakura and Y.Hayakawa
- 通讯作者：Y.Kamakura and Y.Hayakawa
Siのゼーベック係数に与えるフォノンドラッグ効果
声子阻力对 Si 塞贝克系数的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：ファイズ サレ;荒巻豪士;鈴木悠平;ベラッパン マニムス;ムスサミ オンプラカシュ;鎌倉良成;早川泰弘;池田浩也
- 通讯作者：池田浩也
高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数
用于高效热电转换器件的SiGe混晶的塞贝克系数
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Tanaka;R. Miyashiro;and Y. Miyamoto;池田浩也，ベラッパン・マニムス，ムスサミ・オンプラカシュ，鈴木悠平，ファイズ・サレ，ムカンナン・アリバナンドハン，鎌倉良成，早川泰弘
- 通讯作者：池田浩也，ベラッパン・マニムス，ムスサミ・オンプラカシュ，鈴木悠平，ファイズ・サレ，ムカンナン・アリバナンドハン，鎌倉良成，早川泰弘
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HAYAKAWA YASUHIRO其他文献
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18K04229 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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非晶Si-Ge的结构和结晶行为
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