特性ばらつきの自律補償技術とそれを活用したLSIの低消費電力化手法に関する研究
特性变化自主补偿技术及利用该技术降低LSI功耗的方法研究
基本信息
- 批准号:13J06432
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究の目的は、LSIの特性ばらつきをオンチップで診断し、自律的にそのばらつきを補償する技術を確立することである。当該年度は、オンチップ診断回路の多様化と多機能化について主に研究開発を行い、重要な研究成果をあげた。昨年度に開発したトランイスタ特性ばらつきの診断回路技術を拡張し、診断対象にリーク電流と温度を加えた。トランジスタ当たりのリーク電流はpAのオーダであり、そのオンチップ診断にはアナログ回路設計が必要だったが、本研究ではディジタル方式でその診断を可能にした。オンチップ診断回路として低コストで小面積かつ多機能なモニタ回路を実現した。提案回路アーキテクチャーについて回路系の学会であるA-SSCC'2014にて成果発表を行った。その後、回路系のトップ論文誌であるIEEE JSSCの特集号に招待された。次に、オンチップ自己診断を元に特性補償によるエネルギー削減率について検討し、その有効性を明らかにした。実用的なアプリケーション回路を最先端の65nmプロセスにて実装した。暗号化・復号化回路に特性診断回路と制御回路と基板バイアス生成回路を組み込み、診断回路からバイアス生成回路まですべてディジタル方式のセルベース設計自動化へ対応させた。研究成果を集積回路の設計品質の向上方法をテーマとする学会であるISQED'2015にて発表した。また、昨年度提案したばらつき評価回路を利用した閾値電圧ばらつきの推定手法について新たな方法を提案し、テスト回路に関する学会であるICMTS'2015にて成果発表を行った。開発した方法により、トランジスタアレイなしでトランジスタ閾値電圧ばらつきを低コストで評価可能となった。
は の purpose, this study LSI の features ば ら つ き を オ ン チ ッ プ し で diagnosis, self-discipline of に そ の ば ら つ き を compensation す る technology を establish す る こ と で あ る. When the annual は, オ ン チ ッ プ の diagnosis circuit much more than others in turn と function に つ い て main に study opened 発 を line い research achievements, important な を あ げ た. Yesterday annual に open 発 し た ト ラ ン イ ス タ features ば ら つ き の を diagnosis circuit technology company, zhang し, diagnosis as に seaborne リ ー ク current と temperature を plus え た. ト ラ ン ジ ス タ when た り の リ ー ク current は pA の オ ー ダ で あ り, そ の オ ン チ ッ プ diagnosis に は ア ナ ロ グ circuit design が necessary だ っ た が, this study で は デ ィ ジ タ ル way で そ の diagnosis can に を し た. <s:1> と チップ diagnostic circuit と て て low コストで small area <s:1> multi-functional なモニタ circuit を actual た. Proposed circuit ア ー キ テ ク チ ャ ー に つ い て loop is の learn で あ る A - SSCC '2014 に 発 table line を っ て results た. Youdaoplaceholder0 そ Subsequent, circuit system トップ トップ journal であるIEEE JSSC <s:1> Special Issue に reception された. に, オ ン チ ッ プ を their diagnosis characteristic compensation に に よ る エ ネ ル ギ ー rate cuts に つ い て beg し 検, そ の have sharper sex を Ming ら か に し た. The practical なアプリケ, なアプリケ, ショ, ショ circuit を at the very beginning of the <s:1> 65nmプロセスにて is actually equipped with た. Cipher, complex number, loop に characteristic diagnosis と と suppression circuit substrate バ イ ア ス generating circuit を group み 込 み, diagnostic circuit か ら バ イ ア ス generating circuit ま で す べ て デ ィ ジ タ ル way の セ ル ベ ー ス design automation へ 応 seaborne さ せ た. Research results: を Methods for improving the design quality of integrated circuits をテ を とする とする the とする society であるISQED'2015にて development た た. ま た, yesterday the annual proposal し た ば ら つ き review を 価 circuit using し た threshold numerical electric 圧 ば ら つ き の constructive technique に つ い て new た な method proposed を し, テ ス ト loop に masato す る learn で あ る ICMTS '2015 に 発 table line を っ て results た. Open 発 し た method に よ り, ト ラ ン ジ ス タ ア レ イ な し で ト ラ ン ジ ス タ threshold numerical electric 圧 ば ら つ き を low コ ス ト で may review 価 と な っ た.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
In-Situ Variability Characterization of Individual Transistors Using Topology-Reconfigurable Ring Oscillators
使用拓扑可重构环形振荡器对单个晶体管进行原位可变性表征
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.K.M. Mahfuzul Islam;and Hidetoshi Onodera
- 通讯作者:and Hidetoshi Onodera
Characterization and compensation of performance variability using on-chip monitors
使用片上监视器表征和补偿性能变化
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.K.M. Mahfuzul Islam;and Hidetoshi Onodera
- 通讯作者:and Hidetoshi Onodera
Energy-efficient Dynamic Voltage and Frequency Scaling by P/N-performance Self-adjustment using Adaptive Body Bias
使用自适应体偏置通过 P/N 性能自调节实现节能动态电压和频率缩放
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. K. M. M. Islam;Tohru Ishihara;and Hidetoshi Onodera;A.K.M. Mahfuzul Islam;釡江 典裕;A.K.M. Mahfuzul Islam;A.K.M. Mahfuzul Islam;A.K.M. Mahfuzul Islam;A.K.M. Mahfuzul Islam;小野寺 秀俊;イスラム マーフズル;イスラム マーフズル;イスラム マーフズル
- 通讯作者:イスラム マーフズル
チップ間及びチップ内ばらつきを評価可能な再構成可能遅延モニタ回路
可重新配置的延迟监控电路,可以评估芯片间和芯片内的变化
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. K. M. M. Islam;Tohru Ishihara;and Hidetoshi Onodera;A.K.M. Mahfuzul Islam;釡江 典裕;A.K.M. Mahfuzul Islam;A.K.M. Mahfuzul Islam;A.K.M. Mahfuzul Islam;A.K.M. Mahfuzul Islam;小野寺 秀俊;イスラム マーフズル;イスラム マーフズル;イスラム マーフズル;イスラムマーフズル;イスラム マーフズル
- 通讯作者:イスラム マーフズル
Area-efficient Reconfigurable Ring Oscillator for Characterization of Static and Dynamic Variations
用于表征静态和动态变化的面积高效可重构环形振荡器
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.K.M. Mahfuzul Islam;and Hidetoshi Onodera
- 通讯作者:and Hidetoshi Onodera
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
イスラム マーフズル其他文献
Partial MaxSATを用いた低消費電力指向ドントケア割当て法
使用Partial MaxSAT的面向低功耗的无关分配方法
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
原田彰吾;イスラム マーフズル;久門尚史;和田修己;三澤健一郎,平間勇貫,細川利典,山崎紘史,吉村正義,新井雅之 - 通讯作者:
三澤健一郎,平間勇貫,細川利典,山崎紘史,吉村正義,新井雅之
しきい値電圧差を利用した時間領域処理による広い電源電圧で動作するCMOS温度センサ
CMOS 温度传感器通过使用阈值电压差的时域处理在宽电源电压下运行
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
原田彰吾;イスラム マーフズル;久門尚史;和田修己 - 通讯作者:
和田修己
MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
使用统计 MOSFET 选择的无参考 CMOS 温度传感器设计
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
原田彰吾;イスラム マーフズル;久門尚史;和田修己 - 通讯作者:
和田修己
メタステーブル動作を考慮したツリーアービタの性能評価
考虑亚稳态行为的树仲裁器性能评估
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
原田彰吾;イスラム マーフズル;久門尚史;和田修己;三澤健一郎,平間勇貫,細川利典,山崎紘史,吉村正義,新井雅之;松田 孟留;岩本 拓己 - 通讯作者:
岩本 拓己
コンパレータのオンチップ選択機構を有する順序統計に基づいたフラッシュ型ADCの設計
基于比较器片内选择机制的阶次统计Flash ADC设计
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
北村健浩;イスラム マーフズル;久門尚史;和田修己 - 通讯作者:
和田修己
イスラム マーフズル的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似国自然基金
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
- 批准号:JCZRQT202500104
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
新结构研究
- 批准号:2024JJ5044
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
车规级碳化硅MOSFET阈值漂移规律及其抑制方法研究
- 批准号:
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
舰船电源应用背景下的 SiC MOSFET/SiIGBT
拓扑混合模块辐射干扰预测研究
- 批准号:TGS24E070005
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
极端温度环境下MOSFET器件模型和可靠性研究
- 批准号:
- 批准年份:2024
- 资助金额:15.0 万元
- 项目类别:省市级项目
基于SiC/GaN异质结的垂直型功率MOSFET导通及击穿机制研究
- 批准号:n/a
- 批准年份:2023
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
- 批准号:n/a
- 批准年份:2023
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
具有集成肖特基二极管的逆导型氧化镓MOSFET机理与实验研究
- 批准号:62374028
- 批准年份:2023
- 资助金额:48 万元
- 项目类别:面上项目
低比导通电阻的碳化硅沟槽栅型MOSFET器件的研究
- 批准号:52377200
- 批准年份:2023
- 资助金额:52.00 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
- 批准号:
24KJ1553 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究
- 批准号:
23K20927 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
通过控制界面提高反向 n 沟道氮化镓 MOSFET 的有效电子迁移率
- 批准号:
24K00934 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiCパワーMOSFETの高速自己調整デジタルアクティブゲートドライバ開発
SiC功率MOSFET高速自调节数字有源栅极驱动器的开发
- 批准号:
23K26094 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of fast self regulating digital active gate driver for SiC MOSFET
SiC MOSFET 快速自调节数字有源栅极驱动器的开发
- 批准号:
23H01399 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiC-MOSFETの超高速駆動時の接触抵抗の影響評価と高効率電力変換効率の実証
SiC-MOSFET超高速驱动时接触电阻影响的评估及高效率功率转换效率的演示
- 批准号:
22K04224 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A Probing for Long-Term Operating Environment of IoT Devices using Multi-Output MOSFET
使用多输出 MOSFET 探测物联网设备的长期运行环境
- 批准号:
21K04091 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化
通过原子级结构控制技术的发展提高金刚石MOSFET的迁移率和耐压能力
- 批准号:
21H01363 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiスピンMOSFETの実現を可能とする低界面抵抗構造の創製
创建低界面电阻结构,实现硅自旋 MOSFET
- 批准号:
21K14213 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
SiC-MOSFETモジュールを使用した大容量絶縁形DC-DCコンバータの研究
基于SiC-MOSFET模块的大容量隔离式DC-DC变换器研究
- 批准号:
21J10386 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows