特性ばらつきの自律補償技術とそれを活用したLSIの低消費電力化手法に関する研究
特性ばらつきの自律補償技術とそれを活用したLSIの低消費電力化手法に関する研究
批准号:
13J06432
负责人:
イスラム マーフズル
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
本研究の目的は、LSIの特性ばらつきをオンチップで診断し、自律的にそのばらつきを補償する技術を確立することである。当該年度は、オンチップ診断回路の多様化と多機能化について主に研究開発を行い、重要な研究成果をあげた。昨年度に開発したトランイスタ特性ばらつきの診断回路技術を拡張し、診断対象にリーク電流と温度を加えた。トランジスタ当たりのリーク電流はpAのオーダであり、そのオンチップ診断にはアナログ回路設計が必要だったが、本研究ではディジタル方式でその診断を可能にした。オンチップ診断回路として低コストで小面積かつ多機能なモニタ回路を実現した。提案回路アーキテクチャーについて回路系の学会であるA-SSCC'2014にて成果発表を行った。その後、回路系のトップ論文誌であるIEEE JSSCの特集号に招待された。次に、オンチップ自己診断を元に特性補償によるエネルギー削減率について検討し、その有効性を明らかにした。実用的なアプリケーション回路を最先端の65nmプロセスにて実装した。暗号化・復号化回路に特性診断回路と制御回路と基板バイアス生成回路を組み込み、診断回路からバイアス生成回路まですべてディジタル方式のセルベース設計自動化へ対応させた。研究成果を集積回路の設計品質の向上方法をテーマとする学会であるISQED'2015にて発表した。また、昨年度提案したばらつき評価回路を利用した閾値電圧ばらつきの推定手法について新たな方法を提案し、テスト回路に関する学会であるICMTS'2015にて成果発表を行った。開発した方法により、トランジスタアレイなしでトランジスタ閾値電圧ばらつきを低コストで評価可能となった。
英文摘要
本研究の目的は、LSIの特性ばらつきをオンチップで診断し、自律的にそのばらつきを補償する技術を確立することである。当該年度は、オンチップ診断回路の多様化と多機能化について主に研究開発を行い、重要な研究成果をあげた。昨年度に開発したトランイスタ特性ばらつきの診断回路技術を拡張し、診断対象にリーク電流と温度を加えた。トランジスタ当たりのリーク電流はpAのオーダであり、そのオンチップ診断にはアナログ回路設計が必要だったが、本研究ではディジタル方式でその診断を可能にした。オンチップ診断回路として低コストで小面積かつ多機能なモニタ回路を実現した。提案回路アーキテクチャーについて回路系の学会であるA-SSCC'2014にて成果発表を行った。その後、回路系のトップ論文誌であるIEEE JSSCの特集号に招待された。次に、オンチップ自己診断を元に特性補償によるエネルギー削減率について検討し、その有効性を明らかにした。実用的なアプリケーション回路を最先端の65nmプロセスにて実装した。暗号化・復号化回路に特性診断回路と制御回路と基板バイアス生成回路を組み込み、診断回路からバイアス生成回路まですべてディジタル方式のセルベース設計自動化へ対応させた。研究成果を集積回路の設計品質の向上方法をテーマとする学会であるISQED'2015にて発表した。また、昨年度提案したばらつき評価回路を利用した閾値電圧ばらつきの推定手法について新たな方法を提案し、テスト回路に関する学会であるICMTS'2015にて成果発表を行った。開発した方法により、トランジスタアレイなしでトランジスタ閾値電圧ばらつきを低コストで評価可能となった。
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In-Situ Variability Characterization of Individual Transistors Using Topology-Reconfigurable Ring Oscillators
使用拓扑可重构环形振荡器对单个晶体管进行原位可变性表征
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A.K.M. Mahfuzul Islam, and Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
and Hidetoshi Onodera
Characterization and compensation of performance variability using on-chip monitors
使用片上监视器表征和补偿性能变化
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A.K.M. Mahfuzul Islam, and Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
and Hidetoshi Onodera
Energy-efficient Dynamic Voltage and Frequency Scaling by P/N-performance Self-adjustment using Adaptive Body Bias
使用自适应体偏置通过 P/N 性能自调节实现节能动态电压和频率缩放
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A. K. M. M. Islam, Tohru Ishihara, and Hidetoshi Onodera, A.K.M. Mahfuzul Islam, 釡江 典裕, A.K.M. Mahfuzul Islam, A.K.M. Mahfuzul Islam, A.K.M. Mahfuzul Islam, A.K.M. Mahfuzul Islam, 小野寺 秀俊, イスラム マーフズル, イスラム マーフズル, イスラム マーフズル]
通讯作者:
イスラム マーフズル
チップ間及びチップ内ばらつきを評価可能な再構成可能遅延モニタ回路
可重新配置的延迟监控电路,可以评估芯片间和芯片内的变化
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A. K. M. M. Islam, Tohru Ishihara, and Hidetoshi Onodera, A.K.M. Mahfuzul Islam, 釡江 典裕, A.K.M. Mahfuzul Islam, A.K.M. Mahfuzul Islam, A.K.M. Mahfuzul Islam, A.K.M. Mahfuzul Islam, 小野寺 秀俊, イスラム マーフズル, イスラム マーフズル, イスラム マーフズル, イスラムマーフズル, イスラム マーフズル]
通讯作者:
イスラム マーフズル
Area-efficient Reconfigurable Ring Oscillator for Characterization of Static and Dynamic Variations
用于表征静态和动态变化的面积高效可重构环形振荡器
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A.K.M. Mahfuzul Islam, and Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
and Hidetoshi Onodera
共 13 条
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空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
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批准号:2026JJ60454
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:桂庆忠
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依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:于安宁
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依托单位:
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
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批准号:JCZRQT202500104
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
新结构研究
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批准号:2024JJ5044
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:吴丽娟
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依托单位:
车规级碳化硅MOSFET阈值漂移规律及其抑制方法研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:蒋华平
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依托单位:
舰船电源应用背景下的 SiC MOSFET/SiIGBT
拓扑混合模块辐射干扰预测研究
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批准号:TGS24E070005
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:彭子舜
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依托单位:
极端温度环境下MOSFET器件模型和可靠性研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2024
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负责人:杜江锋
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依托单位:
基于SiC/GaN异质结的垂直型功率MOSFET导通及击穿机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:刘超
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依托单位:
SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:邓小川
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依托单位:
具有集成肖特基二极管的逆导型氧化镓MOSFET机理与实验研究
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批准号:62374028
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项目类别:面上项目
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资助金额:48万元
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批准年份:2023
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负责人:魏杰
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依托单位: