刷新
{{item.name}}会员
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
0.1V 操作下晶体管特性变化的自收敛机制
基本信息
- 批准号：17K18866
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-06-30 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法のBulk SRAMセルへの応用
利用多重应力的特性变化自愈方法在体 SRAM 单元中的应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：水谷朋子
- 通讯作者：水谷朋子
Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application
通过后制造降低静态随机存取存储器阵列中的数据保留电压通过多重应力应用自我提高单元稳定性
- DOI：10.7567/jjap.57.04fd08
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Mizutani Tomoko;Takeuchi Kiyoshi;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro
- 通讯作者：Hiramoto Toshiro
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Hiramoto Toshiro其他文献
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
- DOI：
10.35848/1347-4065/acac3b - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature
低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
- DOI：
10.1109/jeds.2021.3108854 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro - 通讯作者：
Hiramoto Toshiro
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午 - 通讯作者：
金 駿午
湾曲型空気圧ゴム人工筋を用いた腰部アシストスーツの開発
使用弯曲气动橡胶人工肌肉的腰部辅助服的开发
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kobayashi Masaharu;Wu Jixuan;Sawabe Yoshiki;Takuya Saraya;Hiramoto Toshiro;島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲 - 通讯作者：
島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲
Scalability Study on Ferroelectric-HfO 2 Tunnel Junction Memory
铁电-HfO 2 隧道结存储器的可扩展性研究
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Fei Mo;Tagawa Yusaku;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
Hiramoto Toshiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Hiramoto Toshiro', 18)}}的其他基金
Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
具有阈值电压自调节机制的超低压工作硅纳米线晶体管
- 批准号：
15K13967 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
硅单电子晶体管和 CMOS 新型功能电路在室温下低压运行
- 批准号：
15H02247 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
通过集成室温工作单电子晶体管和大规模 CMOS 电路创造新功能
- 批准号：
23246064 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
大規模集積回路における寿命予測・障害予防に向けたクロスレイヤ設計手法
大规模集成电路寿命预测和故障预防的跨层设计方法
- 批准号：
17J06952 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development study on the Basic Technologies of Superconductive and large-scale Integrated Circuit for Radio Astronomy
射电天文超导与大规模集成电路基础技术发展研究
- 批准号：
16K13789 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
高信頼大規模集積回路製造へ向けたトランジスタモデリングに関する研究
高可靠大规模集成电路制造晶体管建模研究
- 批准号：
07J01356 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超臨界流体を用いた大規模集積回路用高機能薄膜形成プロセスの開発
利用超临界流体开发大规模集成电路高性能薄膜形成工艺
- 批准号：
15760566 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
大規模集積回路に対するテスト容易化設計の最適化技術に関する研究
大规模集成电路可测试性设计优化技术研究
- 批准号：
11780221 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
高性能大規模集積回路に対する並列・分散レイアウト設計手法の開発
高性能大规模集成电路并行/分布式布局设计方法的发展
- 批准号：
08780288 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
数理計画法を活用した大規模集積回路網のシミュレーション技法に関する研究
基于数学规划的大规模集成电路网络仿真技术研究
- 批准号：
08750472 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
大規模集積回路網のすべての解を求めるアルゴリズムに関する研究
大规模集成电路网络全解算法研究
- 批准号：
07750453 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
構成要素の詳細情報に基づく大規模集積回路の高位合成に関する研究
基于器件详细信息的大规模集成电路高级综合研究
- 批准号：
06780255 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
線形ブロック符号の最尤復号器の超大規模集積回路による実現に関する研究
超大规模集成电路实现线性分组码最大似然译码器的研究
- 批准号：
06750386 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)