Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
0.1V 操作下晶体管特性变化的自收敛机制
批准号：
17K18866
负责人：
Hiramoto Toshiro
金额：
$4.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-06-30 至 2019-03-31
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複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法のBulk SRAMセルへの応用
利用多重应力的特性变化自愈方法在体 SRAM 单元中的应用
利用多重应力的特性变化自愈方法在体 SRAM 单元中的应用
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水谷朋子]
通讯作者：
水谷朋子
Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application
通过后制造降低静态随机存取存储器阵列中的数据保留电压通过多重应力应用自我提高单元稳定性
通过后制造降低静态随机存取存储器阵列中的数据保留电压通过多重应力应用自我提高单元稳定性
DOI：
10.7567/jjap.57.04fd08
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Mizutani Tomoko, Takeuchi Kiyoshi, Saraya Takuya, Kobayashi Masaharu, Hiramoto Toshiro]
通讯作者：
Hiramoto Toshiro
Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
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批准号：15K13967
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2015
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负责人：Hiramoto Toshiro
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依托单位：
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
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批准号：15H02247
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.04万
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财政年份：2015
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负责人：Hiramoto Toshiro
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依托单位：
Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
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批准号：23246064
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$31.28万
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财政年份：2011
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负责人：Hiramoto Toshiro
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依托单位：
海外基金
