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Near infrared single photon detection using Ge-on-Si heterostructures
使用 Ge-on-Si 异质结构进行近红外单光子检测
基本信息
- 批准号：EP/I000011/1
- 负责人：
- 金额：$ 41.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2010
- 资助国家：英国
- 起止时间：2010 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Optimization of epitaxial growth for thick Ge-on-Si structures used for single photon avalanche diode applications
用于单光子雪崩二极管应用的厚硅基硅结构的外延生长优化
- DOI：10.1109/istdm.2014.6874639
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Allred P
- 通讯作者：Allred P
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