Silicon Resonant Tunnelling Diodes and Circuits

硅谐振隧道二极管和电路

基本信息

  • 批准号:
    EP/G041229/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 17.85万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2009 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Low Specific Ohmic Contacts to n-type Germanium Using a Low Temperature NiGe Process
使用低温 NiGe 工艺与 n 型锗进行低比欧姆接触
  • DOI:
    10.1149/05009.1081ecst
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Gallacher K
  • 通讯作者:
    Gallacher K
Silver antimony Ohmic contacts to moderately doped n-type germanium
银锑与中等掺杂 n 型锗的欧姆接触
  • DOI:
    10.1063/1.4873127
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Dumas D
  • 通讯作者:
    Dumas D
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