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InAsNSb Dilute Nitride Materials for Mid-infrared Devices & Applications
用于中红外器件的 InAsNSb 稀氮化物材料
基本信息
- 批准号：EP/J015814/1
- 负责人：
- 金额：$ 28.85万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2012
- 资助国家：英国
- 起止时间：2012 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为它包含敏感信息，如个人详细信息。
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Highly-mismatched InAs/InSe heterojunction diodes
- DOI：10.1063/1.4967381
- 发表时间：2016-11
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：A. Velichko;Z. Kudrynskyi;D. M. D. Paola-D.-M.-D.-Paola-93378100;O. Makarovsky;M. Kesaria;A. Krier;I. Sandall;C. Tan;Z. Kovalyuk;A. Patané
- 通讯作者：A. Velichko;Z. Kudrynskyi;D. M. D. Paola-D.-M.-D.-Paola-93378100;O. Makarovsky;M. Kesaria;A. Krier;I. Sandall;C. Tan;Z. Kovalyuk;A. Patané
H-tailored surface conductivity in narrow band gap In(AsN)
窄带隙 In(AsN) 中 H 定制的表面电导率
- DOI：10.1063/1.4906111
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Velichko A
- 通讯作者：Velichko A
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Avalanche Gain and Energy Resolution of Semiconductor X-ray Detectors
半导体 X 射线探测器的雪崩增益和能量分辨率
- DOI：
10.1109/ted.2011.2121915 - 发表时间：
2011 - 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：
Chee Hing Tan - 通讯作者：
Chee Hing Tan
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Realising a solid state photomultiplier and infrared detectors through bismide containing semiconductors
通过含双酰胺的半导体实现固态光电倍增管和红外探测器
- 批准号：
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相似海外基金
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稀释氮化物和其他 1300-1650 nm VCSEL 方法
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- 批准号：
2433356 - 财政年份：2020
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Studentship
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- 批准号：
20K05346 - 财政年份：2020
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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利用稀氮化物半导体中的电子局域态开发高效光伏电池
- 批准号：
19H02612 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 28.85万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Collaborative Research: Bandgap Engineering of Dilute Antimonide III-Nitride Nanostructures for Efficient and Stable Photocatalytic Overall Water Splitting
合作研究：稀锑化物III-氮化物纳米结构的带隙工程，用于高效稳定的光催化整体水分解
- 批准号：
1804458 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 28.85万 - 项目类别：
Continuing Grant
Collaborative Research: Bandgap Engineering of Dilute Antimonide III-Nitride Nanostructures for Efficient and Stable Photocatalytic Overall Water Splitting
合作研究：稀锑化物III-氮化物纳米结构的带隙工程，用于高效稳定的光催化整体水分解
- 批准号：
1804077 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 28.85万 - 项目类别：
Continuing Grant
Research on high-efficiency intermediate band tandem solar cells based on dilute nitride alloys
基于稀氮化合金的高效中能带叠层太阳能电池研究
- 批准号：
17KK0127 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 28.85万 - 项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
H-induced modification of dilute nitride semiconductors and control of N-H atomic bonds
稀氮化物半导体的 H 诱导改性及 N-H 原子键的控制
- 批准号：
16K21007 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 28.85万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Controlling N distribution in dilute nitride semiconductor materials by atomic layer epitaxy
通过原子层外延控制稀氮化物半导体材料中的N分布
- 批准号：
16K17515 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 28.85万 - 项目类别：
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