InP-based membrane-type optical and electronic devices for broad band intra-chip/inter-chip interconnection in Si-LSI circuits

用于Si-LSI电路中宽带芯片内/芯片间互连的InP基薄膜型光学和电子器件

• 批准号: 19002009
• 负责人: ARAI Shigehisa
• 金额: $ 353.1万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19002009/
• 关键词: インターコネクション; グローバル配線; 半導体レーザ; トランジスタ; テラヘルツ; InP; 光電融合

We investigated InP-based membrane-type optical and electronic devices for broad band and low-power consumption optical interconnection in Si-LSI circuits since the RC delay time and the power consumption in metal wires will be bottleneck of high-speed operation and high functionality of LSIs in future. As the results, we successfully demonstrated current-injection-type membrane semiconductor lasers as well as photodetectors as low-power consumption optical devices, and also terahertz devices for inter-chip high-speed interconnection.

我们研究了用于Si-LSI电路中宽带和低功耗光互连的磷化铟薄膜型光学和电子器件，因为RC延迟时间和金属线中的功耗将成为LSI高速运行和高功能的瓶颈。未来。作为结果，我们成功地展示了电流注入型膜半导体激光器以及作为低功耗光学器件的光电探测器，以及用于芯片间高速互连的太赫兹器件。

项目成果

ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFET

具有异质发射器和本征沟道的垂直 InGaAs-MOSFET

• 发表时间: 2009
• 作者: 齋藤 尚史;楠崎智樹;松本 豊;宮本 恭幸;古屋 一仁
• 通讯作者: 古屋 一仁

ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製

具有异质发射器和本征沟道的垂直 InGaAs-MOSFET 的制造

• 发表时间: 2009
• 作者: 齋藤 尚史;金澤 徹;宮本 恭幸;古屋 一仁
• 通讯作者: 古屋 一仁

InP系バリスティックトランジスタ

InP弹道晶体管

• 发表时间: 2008
• 作者: 宮本恭幸;古屋一仁
• 通讯作者: 古屋一仁

Fundamental oscillation up to 915GHz in InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes integrated with slot antennas

• DOI: 10.1109/icimw.2009.5324766
• 发表时间: 2009-11
• 期刊: 2009 34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
• 作者: M. Shiraishi;S. Suzuki;A. Teranishi;M. Asada;H. Sugiyama;H. Yokoyama

テーパードスロットアンテナを集積した水平放射型サブTHzRTD発振器

具有集成锥形缝隙天线的水平辐射亚太赫兹 RTD 振荡器

• 发表时间: 2008
• 作者: 浦山健太;鈴木左文;浅田雅洋;杉山弘樹;横山春喜
• 通讯作者: 横山春喜