Atomic Layer Deposition of Complex Oxides for Novel Devices
用于新型器件的复合氧化物的原子层沉积
基本信息
- 批准号:RGPIN-2017-05858
- 负责人:
- 金额:$ 2.7万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:2021
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2021-01-01 至 2022-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
aluminum zirconium oxide; atomic layer deposition; bulk defects; complex oxides; gallium nitride; gate oxides; low interface defects; power devices; silicon nitride; zinc oxide
铝锆氧化物;原子层沉积;体缺陷;复合氧化物;氮化镓;栅极氧化物;界面缺陷少;动力装置;氮化硅;氧化锌
项目成果
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