课题基金 / 基金详情

低漏电高性能纳米级叠层氮化高k栅介质MOSFET研究

批准号：
60376019
项目类别：
面上项目
资助金额：
26.0 万元
负责人：
徐静平
依托单位：
华中科技大学
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
刘刚、郑远开、张丽娜、高俊雄、陈卫兵、吴海平、李春霞、韩弼
关键词：
纳米尺寸MOSFET氮化叠层高-k栅介质金属氧化物

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项目成果

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中文摘要
研究低漏电高性能纳米尺寸MOSFET的核心技术- - 新型超薄氮化HfON/HfO2/HfSiON叠层高-k栅介质的制备方法和技术。从氮分布剖面和界面工程入手，重点研究氮在多晶硅/介质、介质/Si两个界面处的结合技术以及具有类SiO2/Si界面特性的超薄界面层的制备技术，以获得最佳U形氮分布剖面和界面特性的大大改善，同时利用中间较厚的HfO2层有效抑制栅极漏电。将研究反应DC磁控溅射法制备上述栅介质的最佳工艺和条件以及介质的最佳物理和化学结构，研制出相应的MOSFET原型样品。由于U形氮分布剖面和类SiO2/Si的界面特性，MOSFET不仅具有低的栅极漏电，而且可以获得电特性和可靠性的全面改进（界面态、固定电荷及电荷陷阱密度将明显减少，沟道载流子迁移率、电流驱动能力以及阈值电压稳定性将大大提高）。对我国微电子工业赶超国际先进水平及超深亚微米集成电路的研发将产生重要影响，应用前景广阔。
英文摘要
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专利列表
表面处理对HfO2栅介质MOS电容界
DOI： --
发表时间： --
期刊： 固体电子学研究与进展，已录用 (EI收录).
影响因子： --
作者： [徐静平*, 李艳萍, 许胜国]
通讯作者： 许胜国
Electrical Properties and Reli
电气性能及可靠性
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [*Xu Jing-Ping, Chen Wei- Bing,]
通讯作者： *Xu Jing-Ping, Chen Wei- Bing,
一种新型栅介质材料HfTiON的制备
DOI： --
发表时间： --
期刊： 固体电子学研究与进展，已录用 (EI收录).
影响因子： --
作者： [陈卫兵, 徐静平*]
通讯作者： 徐静平*
表面预处理对HfO2栅介质MOS器件
DOI： --
发表时间： --
期刊： 微电子学,vol. 36, no. 4, pp: 441-445, 2006 (EI收录).
影响因子： --
作者： [许胜国, 徐静平*, 李艳萍, 陈卫]
通讯作者： 陈卫
共 16 条
    高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究
    • 批准号：
      61974048
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      59.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程
    • 批准号：
      61774064
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      67.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究
    • 批准号：
      61274112
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究
    • 批准号：
      61176100
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      70.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    国内基金
    海外基金