课题基金 / 基金详情

高迁移率长寿命SiC MISFET研究

批准号：
60176030
项目类别：
面上项目
资助金额：
21.0 万元
负责人：
徐静平
依托单位：
华中科技大学
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
郑远开、刘刚、王宁章、高俊雄、颜冲、余志文
关键词：
场效应晶体管.栅介质碳化硅.

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
研究高迁移率长寿命SiCMISFET核心技术一高质量栅介质及平坦、低界面态密度MIS界面的制备。将发展有效的SiC表面原位钝化技术、快速CVD淀积技术以及干/湿氧退火技术，并采用掠钡母春险そ橹式峁梗兄瞥龈叻葱凸档狼ㄒ坡屎统て骷倜黃iCMISFET原型样品。为其实用化奠定基础，对我国高温电子学、航空领域以及国防和军事工业将产业重要影响，应用前景广阔。
英文摘要
高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究
  • 批准号：
    61974048
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    59.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程
  • 批准号：
    61774064
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    67.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究
  • 批准号：
    61274112
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究
  • 批准号：
    61176100
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    70.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
国内基金
海外基金