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小尺寸超薄叠层高k栅介质Si/Ge MOSFET研究
结题报告
批准号：
60576021
项目类别：
面上项目
资助金额：
7.0 万元
负责人：
徐静平
依托单位：
学科分类：
F0406.集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2006
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈卫兵、王宁章、张丽娜、邹晓、季峰、余柏林、李艳萍、王虎
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
研究低漏电高性能小尺寸Ge基MOSFET的核心技术- - 新型超薄HfO2/HfOxNy叠层高k栅介质的制备方法和技术。从抑制低k界面GeOx生长的关键问题入手，重点研究超薄氮化HfOxNy界面层的制备技术以及低温快速热退火技术，并对界面层中氮氧含量进行最佳化研究，以获得高稳定低界面态密度的介质/Ge界面。同时利用较厚的HfO2层有效抑制栅极漏电。将研究反应DC磁控溅射法制备上述栅介质的最佳工艺和
英文摘要
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DOI：--
发表时间：--
期刊：固体电子学研究与进展，2007，27（2），印刷中(EI收录).
影响因子：--
作者：
通讯作者：
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报，vol.27，no.11, pp. 2000- 2004，2006 (SCI, EI收录).
影响因子：--
作者：
通讯作者：
DOI：--
发表时间：--
期刊：固体电子学研究与进展，接受待发表(EI收录).
影响因子：--
作者：
通讯作者：
DOI：--
发表时间：--
期刊：固体电子学研究与进展，接受待发表(EI收录).
影响因子：--
作者：
通讯作者：
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：J. P. Xu, P. T. Lai, C. X. Li,
通讯作者：J. P. Xu, P. T. Lai, C. X. Li,
高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究
- 批准号：61974048
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：59.0万元
- 批准年份：2019
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程
- 批准号：61774064
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：67.0万元
- 批准年份：2017
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究
- 批准号：61274112
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：80.0万元
- 批准年份：2012
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究
- 批准号：61176100
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：70.0万元
- 批准年份：2011
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究
- 批准号：60976091
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：39.0万元
- 批准年份：2009
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
小尺寸超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质Ge基MOSFET研究
- 批准号：60776016
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：32.0万元
- 批准年份：2007
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
低漏电高性能纳米级叠层氮化高k栅介质MOSFET研究
- 批准号：60376019
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：26.0万元
- 批准年份：2003
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
高迁移率长寿命SiC MISFET研究
- 批准号：60176030
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：21.0万元
- 批准年份：2001
- 负责人：徐静平
- 依托单位：
国内基金
海外基金
