课题基金 / 基金详情

小尺寸超薄叠层高k栅介质Si/Ge MOSFET研究

批准号：
60576021
项目类别：
面上项目
资助金额：
7.0 万元
负责人：
徐静平
依托单位：
华中科技大学
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2006
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈卫兵、王宁章、张丽娜、邹晓、季峰、余柏林、李艳萍、王虎
关键词：
MOSFET叠层高k栅介质界面层氮化..Si/Ge金属氧化物

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中文摘要
研究低漏电高性能小尺寸Ge基MOSFET的核心技术- - 新型超薄HfO2/HfOxNy叠层高k栅介质的制备方法和技术。从抑制低k界面GeOx生长的关键问题入手，重点研究超薄氮化HfOxNy界面层的制备技术以及低温快速热退火技术，并对界面层中氮氧含量进行最佳化研究，以获得高稳定低界面态密度的介质/Ge界面。同时利用较厚的HfO2层有效抑制栅极漏电。将研究反应DC磁控溅射法制备上述栅介质的最佳工艺和
英文摘要
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湿N2退火HfTiO和HfO2栅介质Ge MO
DOI： --
发表时间： --
期刊： 固体电子学研究与进展，2007，27（2），印刷中(EI收录).
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
应变Si1-xGex pMOSFET反型沟道空
DOI： --
发表时间： --
期刊： 半导体学报，vol.27，no.11, pp. 2000- 2004，2006 (SCI, EI收录).
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
考虑库仑散射屏蔽效应的应变SiGe
DOI： --
发表时间： --
期刊： 固体电子学研究与进展，接受待发表(EI收录).
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
应变SiGe沟道pMOSFET阈值电压模
DOI： --
发表时间： --
期刊： 固体电子学研究与进展，接受待发表(EI收录).
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 8 条
    高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究
    • 批准号：
      61974048
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      59.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程
    • 批准号：
      61774064
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      67.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究
    • 批准号：
      61274112
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究
    • 批准号：
      61176100
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      70.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      徐静平
    • 依托单位：
      华中科技大学
    国内基金
    海外基金