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小尺寸超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质Ge基MOSFET研究
结题报告
批准号：
60776016
项目类别：
面上项目
资助金额：
32.0 万元
负责人：
徐静平
依托单位：
华中科技大学
学科分类：
F0406.集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
邹晓、雷青松、张丽娜、张学锋、严晗、肖霞、张洪强
关键词：
叠层高k栅介质界面层氮化Ge基MOSFET金属氧化物
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
研究低漏电高性能小尺寸Ge基MOSFET的核心技术- - 新型超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质的制备方法和技术。从抑制低k界面GeOx生长的关键问题入手，重点研究超薄氮化GeON界面层的制备技术以及淀积后快速热退火技术，并对界面层中氮氧含量进行最佳化研究，以获得高稳定低界面态密度的介质/Ge界面。同时利用较厚的HfTiO层有效抑制栅极漏电。将研究表面氮化和反应磁控共溅射法制备上述栅介质的最佳工艺和条件以及介质的最佳物理和化学结构,研制出相应的Ge基 MOSFET原型样品。由于氮化界面层和高k值HfTiO的叠层使用，Ge基 MOSFET不仅具有低的栅极漏电，而且可以获得电特性和可靠性的全面改进（界面态、固定电荷及电荷陷阱密度将明显减少，沟道载流子迁移率、电流驱动能力及阈值电压稳定性将大大提高）。对我国微电子工业赶超国际先进水平及超深亚微米Si/Ge集成电路的研发将产生重要影响,应用前景广阔
英文摘要
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Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with HfTa-based gate dielectric by using TaOxNy interlayer
DOI：10.1063/1.2954012
发表时间：2008-07
期刊：Applied Physics Letters
影响因子：4
作者：Xinhan Zhang;Jinhua Xu;C. X. Li;P. Lai;C. Chan;J. Guan
通讯作者：Xinhan Zhang;Jinhua Xu;C. X. Li;P. Lai;C. Chan;J. Guan
Effects of Ti content and wet-N2 anneal on Ge MOS capacitors with HfTiO gate dielectric
Ti 含量和湿式 N2 退火对采用 HfTiO 栅介质的 Ge MOS 电容器的影响
DOI：10.1016/j.microrel.2007.11.004
发表时间：2008-04-01
期刊：MICROELECTRONICS RELIABILITY
影响因子：1.6
作者：Li, C. X.;Zou, X.;Chan, C. L.
通讯作者：Chan, C. L.
应变SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型
DOI：--
发表时间：--
期刊：固体电子学研究与进展
影响因子：--
作者：徐静平;苏绍斌;邹晓
通讯作者：邹晓
Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with high-k HfO2 gate dielectric by using La2O3 interlayer sputtered with/without N2 ambient
DOI：10.1063/1.3462301
发表时间：2010-07
期刊：Applied Physics Letters
影响因子：4
作者：H. Xu;Jiqu Xu;C. X. Li;P. Lai
通讯作者：H. Xu;Jiqu Xu;C. X. Li;P. Lai
Use of water vapor for suppressing the growth of unstable low-k interlayer in HfTiO gate- dielectric Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with sub-nanometer capacitance equivalent thickness
利用水蒸气抑制亚纳米电容等效厚度HfTiO栅介质Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定低k中间层的生长
DOI：--
发表时间：--
期刊：Thin Solid Films
影响因子：2.1
作者：J. P. Xu, X. Zou, P. T. Lai, C. X. Li, C. L. Chan
通讯作者：J. P. Xu, X. Zou, P. T. Lai, C. X. Li, C. L. Chan
高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究
  • 批准号：
    61974048
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    59.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程
  • 批准号：
    61774064
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    67.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究
  • 批准号：
    61274112
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究
  • 批准号：
    61176100
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    70.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究
  • 批准号：
    60976091
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    39.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
小尺寸超薄叠层高k栅介质Si/Ge MOSFET研究
  • 批准号：
    60576021
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    7.0万元
  • 批准年份：
    2005
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
低漏电高性能纳米级叠层氮化高k栅介质MOSFET研究
  • 批准号：
    60376019
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
高迁移率长寿命SiC MISFET研究
  • 批准号：
    60176030
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    21.0万元
  • 批准年份：
    2001
  • 负责人：
    徐静平
  • 依托单位：
    华中科技大学
国内基金
海外基金