Herstellung und Charakterisierung von Volumenkristallen aus der Mischkristallreihe (AIN)x(SiC)1-x

混合晶体材料（AlN和SiC）和混合晶体材料（interessanter Eigenschaften als Halbleiter großer bandl<e:1> cke）在der Opto- und Leistungselektronik。bshist es nicht gelungen, entsprechende Volumeneinkristalle herzusten, da die bebebetigsten Voraussetzungen, Materialkompatibilität bebeder gasphasenzchtung bei <e:1> 2000°C和有效的控制der Segregation， in ihrer Umsetzung technology, eshranspruchsvoll . d。死Verwendung冯nahezu梅gesinterten Tiegeln来自Tantalkarbid和死jahrelange Hochtemperatur-Kristallzuchtung Erfahrung德·冯·碳化硅和AlN eroffnen修女Moglichkeit死去,ausgehend von der Zuchtung冯AlN mittels Gasphasentransport冯AlN-SiC-Pulvermischungen杯stabilen Prozess苏珥Herstellung冯(AlN) x(原文如此)1 - x - Volumenkristallen祖entwickeln auszubauen和schließ巫妖死Anwendbarkeit als Substrat毛皮nitridische Halbleiter祖茂堂untersuchen。

Mischkristalle der Reihe (AlN)x(SiC)1–x verbinden die in der Opto- und Leistungselektronik wichtigen Materialien AlN und SiC und besitzen eine Reihe interessanter Eigenschaften als Halbleiter großer Bandlücke. Bisher ist es nicht gelungen, entsprechende Volumeneinkristalle herzustellen, da die beiden wichtigsten Voraussetzungen, Materialkompatibilität bei der Gasphasenzüchtung bei über 2000°C und effektive Kontrolle der Segregation, in ihrer Umsetzung technologisch sehr anspruchsvoll sind. Die Verwendung von nahezu dicht gesinterten Tiegeln aus Tantalkarbid sowie die jahrelange Erfahrung in der Hochtemperatur-Kristallzüchtung von SiC und AlN eröffnen nun die Möglichkeit, ausgehend von der Züchtung von AlN mittels Gasphasentransport von AlN-SiC-Pulvermischungen einen stabilen Prozess zur Herstellung von (AlN)x(SiC)1–x- Volumenkristallen zu entwickeln, auszubauen und schließlich die Anwendbarkeit als Substrat für nitridische Halbleiter zu untersuchen.