Simulation von Streulicht-Messprozessen zur Erkennung von Oberflächendefekten im Nanometerbereich und Entwicklung neuer In-Prozess-Messverfahren

Die fortschreitende Entwicklung im Bereich der Mikro- und Nanotechnologie führt zu einem steigenden Bedarf an Messsystemen，die Nanostrukturen prozessnah bzw.我是一个很好的农业生产者。在生产过程中，大北区的结构定量化程度较低。Entscheidend ist vielmehr eine schnelle qualitative Beurteilung der Strukturen und irer Funktionalität. Laser-optische Streulicht-Messverfahren sind für diese Aufgabe aufgrund der schnellen，berührungslosen und zerstörungsfreien Messdatenerfassung besonders geeignet. Konventionelle Streulicht- Messmethoden und Auswerteverfahren versagen jedoch，wenn die Strukturgrößen deutlich kleiner als die Lichtwellenlänge sind.这颗行星是一颗非常大的行星，就像纳米结构一样。这是一场残酷的战争。实验结果表明，这种效果只是一种间接的结果。在此项目中，必须进行模拟，以获得韦尔登的光通量，并在Vorfeld的基础上，通过显著的、拓扑的、可识别的Merkmalen技术来确定光通量。Anschließend是一个在过程中的信息处理器，它可以使上翼和下翼同时启动。

Die fortschreitende Entwicklung im Bereich der Mikro- und Nanotechnologie führt zu einem steigenden Bedarf an Messsystemen, die Nanostrukturen prozessnah bzw. im laufenden Fertigungsprozess charakterisieren. Dabei ist in der Produktionsphase weniger die quantitative Bewertung der Strukturen von Bedeutung. Entscheidend ist vielmehr eine schnelle qualitative Beurteilung der Strukturen und ihrer Funktionalität. Laser-optische Streulicht-Messverfahren sind für diese Aufgabe aufgrund der schnellen, berührungslosen und zerstörungsfreien Messdatenerfassung besonders geeignet. Konventionelle Streulicht- Messmethoden und Auswerteverfahren versagen jedoch, wenn die Strukturgrößen deutlich kleiner als die Lichtwellenlänge sind. Der Grund hierfür ist die unzureichende Kenntnis darüber, wie sich Nanostrukturen bzw. deren Defekte im Streulichtmuster auswirken. Die experimentelle Suche nach diesen Effekten ist nur mit erheblichem Aufwand möglich. Im Rahmen dieses Projektes sollen daher Simulationsalgorithmen zur Berechnung der Lichtstreuung an Nanostrukturen entwickelt werden, um im Vorfeld aufwändiger, messtechnischer Untersuchungen Streufeldbereiche mit signifikanten, topografiebezogenen Merkmalen identifizieren zu können. Anschließend ist ein In-Prozess-Messverfahren zu entwickeln, mit dem sich entsprechende Oberflächendefekte anhand dieser Merkmale erkennen lassen.