Dotierung von ZnO zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen im UV Spektralbereich

摘要：在紫外光光谱分析中，氧化锌（ZnO）的紫外光谱分析是一种有效的紫外光谱分析方法。Eine ZnO-basierte technology hätte in Gegensatz zu einer existierenden gan - technology verschiedene substantielle Vorteile。ZnO ist biokonpatibel, in großen Mengen erhältlich and preiswert。Zusätzlich kann ZnO im Gegensatz zu GaN auch in低温- prozessen hergestellt werden。在有机发光二极管（oled）中，采用ZnO作为衬底的透明材料。Bisher galt die p-Dotierung von ZnO也不例外gelöst。zel des vorliegenden projects ist， die p-Dotierung von ZnO可再生材料的实现和光电器件的不稳定性，lichtemtitierenden Bauelementen inzuseten。川崎教授，日本，仙台。德国汽车集团（Dieser group）在德国的汽车制造商kurzem公司，德国的汽车制造商MBE公司，德国的汽车制造商ZnO-Schichten herzustellen公司。我们研究了每一个p-n-Dioden hergestellt werden， deren Strom- spannungs - kenlinie和Elektrolumineszenz nebenen Transportmessungen，并独立地复制了p-Dotierung von ZnO anzeigen。Dabei spielt die strukturelle Qualität der ZnO-Schichten eine wictitile。disese soll deshale zunächst optimiert werden, bebeter dani - die p-Dotierung von ZnO untersubel， um aufdier基础dann ZnO- leds zu realisieren和zu optimieren。

Ein alternatives und potentiell sehr interessantes Material zur Herstellung von lichtemittierenden Bauelementen für den sichtbaren und insbesondere den UV Spektralbereich ist Zinkoxid (ZnO). Eine ZnO-basierte Technologie hätte im Gegensatz zu einer existierenden GaN-Technologie verschiedene substantielle Vorteile. ZnO ist biokompatibel, in großen Mengen erhältlich und preiswert. Zusätzlich kann ZnO im Gegensatz zu GaN auch in Niedertemperatur-Prozessen hergestellt werden. Dies macht ZnO auch interessant für transparente Elektronik z.B. auf Plastik-Substraten und in Verbindung mit organischen LEDs (OLEDs). Bisher galt die p-Dotierung von ZnO als noch nicht gelöst. Ziel des vorliegenden Projektes ist es, die p-Dotierung von ZnO reproduzierbar zu realisieren und insbesondere in optoelektronischen, lichtemittierenden Bauelementen einzusetzen. Dabei steht die Antragstellung in engem Zusammenhang mit einem Durchbruch bei der p-Dotierung in der Arbeitsgruppe von Prof. Kawasaki, Sendai, Japan. Dieser Gruppe gelang es vor kurzem erstmalig, mittels MBE p-dotierte ZnO-Schichten herzustellen. Es konnten auch p-n-Dioden hergestellt werden, deren Strom- Spannungs-Kennlinie und Elektrolumineszenz neben den Transportmessungen eindeutig die reproduzierbare p-Dotierung von ZnO anzeigen. Dabei spielt die strukturelle Qualität der ZnO-Schichten eine wichtige Rolle. Diese soll deshalb zunächst optimiert werden, bevor dann die p-Dotierung von ZnO untersucht wird, um auf dieser Basis dann ZnO-LEDs zu realisieren und zu optimieren.