Selbstdiffusion in amorphem Silizium

无定形硅(a-Si)的原型是无定形的Halbleiters。Trotz Seiner Technology v.A.im Bereich Solarzellen，DünnschichtTranoren and Li-Ionen-Batterien liegen für Dieses BasisMaterial Keinelei Examentelle Daten Bezüglich der SelbstDiffusionskoeffizienten vor.它是一种新型的金属材料，是一种新型的金属材料，是一种新型的材料。这是一种新的贸易方式，它是一种新的贸易方式，也是一种新的贸易方式。我是拉赫曼人，他们在a-Si中的扩散，在温度下，在Glühzeit，Dm Wasserstoffgehold，der Dotierung and Dm strukturellen Zustand(amorph/teilkristallin)charakterisiert是不同的。[29Si/Nat.Si]20-同种异构体的实验。我们的方法是用亚纳米技术，用Kritischen KeimRadius和Be Gleichzeitig niedrigen Diffusionsskoeffizienten zu估计。她是她的前辈，也是最好的朋友，也是最好的。Es Sollen参数ätze zur Modellierung von Kristallisations-and strukturellen Umordnungsvorgängen Sowie Informationenüber Aktivierungsenergien and den Transport vermittelnde defekte ermittelt and MIT den strukturellen Eigenschaften korrelert den.

Amorphes Silizium (a-Si) ist der Prototyp eines amorphen Halbleiters. Trotz seiner technologischen Bedeutung v. a. im Bereich Solarzellen, Dünnschichttransistoren und Li-Ionen- Batterien liegen für dieses Basismaterial keinerlei experimentelle Daten bezüglich der Selbstdiffusionskoeffizienten vor. Dies ist auf die geringe atomare Beweglichkeit, aufgrund der kovalenten Bindung, gepaart mit der Metastabilität dieses Materials zurückzuführen, was einen experimentellen Zugang extrem erschwert. Die Kenntnis der Selbstdiffusion ist, neben einem grundlegenden Verständnis, wichtig für die thermische Stabilität und das Kristallisationsverhalten, zur Charakterisierung atomarer Punktdefekte sowie für eine Beschreibung struktureller Umordnungs- und Relaxationsvorgänge. Im Rahmen dieses Antrags soll erstmals die Selbstdiffusion in a-Si in Abhängigkeit von der Temperatur, der Glühzeit, dem Wasserstoffgehalt, der Dotierung und dem strukturellen Zustand (amorph/teilkristallin) charakterisiert werden. Die Experimente sollen mit Neutronenreflektometrie an [29Si/nat.Si]20- Isotopmultilagen erfolgen. Diese Methode ermöglicht es Diffusionslängen im Subnanometerbereich, unterhalb des kritischen Keimradius der Kristallisation, bei gleichzeitig niedrigen Diffusionskoeffizienten zu bestimmen. Sie ist daher hervorragend geeignet, die oben genannten Problemfaktoren zu überwinden und erfolgreiche Ergebnisse zu erzielen. Es sollen Parametersätze zur Modellierung von Kristallisations- und strukturellen Umordnungsvorgängen sowie Informationen über Aktivierungsenergien und den Transport vermittelnde Defekte ermittelt und mit den strukturellen Eigenschaften korreliert werden.