Räumliche Winkelverteilung von gesputterten und rückgestreuten Atomen bei der Ionenbestrahlung unter streifenden Winkeln

聚焦离子束（Fokussierte Ionenstrahlen，FIB）韦尔登在微电子学中用于通过离子束吸收材料。这是一个很好的电离辐射耦合半导体结构，它具有纳米尺度上的临界吸收韦尔登。材料结构与聚焦离子辐射的协同作用将通过更大的物理效应来实现。这一效果是以一种各向异性的方式再沉积复合材料。FIB结构的非线性模型揭示了Winkelverteilungen的各向异性，并在拉格中没有显示出，FIB结构在纳米范围内的膨胀是可以确定的。在这个项目中，解决了原子各向异性的Winkelverteilungen，这是一个强化的离子注入，实验和理论都将得到韦尔登。Es soll ein physikalisches Modell für die FIB-Strukturierung aufgestellt and anhand experimenteller Daten verifiziert韦尔登.

Fokussierte Ionenstrahlen (Focused Ion Beams, FIB) werden in der Mikroelektronik zur lokalen Abtragung von Materialien durch das Ionensputtern verwendet. Durch eine sehr feine Fokussierung von Ionenstrahlen können Halbleiterstrukturen mit kritischen Abmessungen im Nanometerbereich angefertigt werden. Die örtliche Auflösung der Materialstrukturierung mit fokussierten Ionenstrahlen wird durch mehrere physikalische Effekte beschränkt. Einer dieser Effekte ist die Redeposition des gesputterten Materials in Kombination mit einer besonderen anisotropen Form der Winkelverteilungen der gesputterten Atome. Die existierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen die Anisotropie der Winkelverteilungen und sind deshalb nicht in der Lage, die örtliche Auflösung der FIB-Strukturierung im Nanometerbereich adäquat zu beschreiben. In diesem Projekt sollen die anisotrope Winkelverteilungen der gesputterten Atome, die beim streifenden Ioneneinfall auftreten, experimentell und theoretisch untersucht werden. Es soll ein physikalisches Modell für die FIB-Strukturierung aufgestellt und anhand experimenteller Daten verifiziert werden.