Rastersondenmikroskop

Ein zentrales Merkmal nanostrukturierter Materialien für Anwendungen in der Optoelektronik，Energietechnik oder（Spin-）Elektronik ist das inhärente Auftreten von Grenzflächen，wie z.B. Heidel-Übergänge、Dotierübergänge、Metallkontakte、Partikel-Partikel Grenzfläche等。这些材料和部件的电子、光学和热特性在10 Onm Bereich和darunter的Skala上进行了测量。在一个新的功能性的卫星上，韦尔登会被发现，而在另一个卫星上，则会被一个实验组用来在一个不到100纳米的斯卡拉上产生特征。这是一种新的信息技术，它包括光栅-Kraft-Mikroskopie光电转换器、Nahfeld- Mikroskopie光电转换器和光栅-Sondentechnik热传感器。最受欢迎的电子探针显微镜（Kelvin probe force microscopy KPFM）和热扫描光栅-卡夫-米氏显微镜（thermische Raster-Kraft-Mikroskopie SThM）系统采用了近场光学显微镜（scanning near field optical microscopy SNOM）和光学显微镜（konfokaler spektroskopie and optischer Nahroskopie-Mikroskopie）。这是一种痛苦，这是一种痛苦。

Ein zentrales Merkmal nanostrukturierter Materialien für Anwendungen in der Optoelektronik, Energietechnik oder (Spin-)Elektronik ist das inhärente Auftreten von Grenzflächen, wie z.B. Hetero-Übergänge, Dotierübergänge, Metallkontakte, Partikel-Partikel Grenzfläche etc. Dies hat zur Konsequenz, dass sich die elektronischen, optischen und thermischen Eigenschaften der Materialien und der Bauelemente lokal ändern - auf einer Skala im 10Onm Bereich und darunter. Dadurch werden auf der einen Seite neuartige Funktionalitäten möglich, auf der anderen Seite wird aber ein experimenteller Zugang zu den genannten Eigenschaften auf einer Sub-100nm Skala notwendig. Dies erfordert eine neue Art der Informationsgewinnung, die sich aus einer teilweise gleichzeitigen Verwendung der elektrischen Raster-Kraft-Mikroskopie, der optischen Nahfeld- Mikroskopie und der thermischen Raster-Sondentechnik ergibt. Das favorisierte System vereint elektrische (Kelvin probe force microscopy KPFM) und thermische Raster-Kraft-Mikroskopie (scanning thermal microscopy SThM) mit konfokaler Fluoreszenz-Spektroskopie und optischer Nahfeld-Mikroskopie (scanning near field optical microscopy SNOM) auf einer Plattform und erfüllt daher in geradezu idealer Weise die genannten Anforderungen. Die Beschaffung dieses Gerätes ist Gegenstand dieses Antrages.