UV-Laser-unterstützte Kristallisationsprozesse elektrokeramischer Dünnschichten auf Silizium-Wafern

激光工业晶化氧化剂Dünschichten的方法仅限于德国体育场。这是一个分析程序，包括现场分析和现场分析。这两个参数的关系是什么，这两个参数是什么？结晶器及模具(有限元方法)模拟试验。Aus den Ergebnissen soll ein modell zur Keimbildung and Wachstumskintik keramischer Dünschichten beder der激光-unterstützten Kristallation abgeleitet。我们将使用Laserkristallisierten Schichten durch egegleitende Optische and elektrische Characterisierung Wie Impe anzanzSpektroskopie vervollständigt.

Die Methode der Laser-induzierten Kristallisation oxidkeramischer Dünnschichten befindet sich noch im Stadium der Grundlagenforschung. Daher ist ein umfangreiches analytisches Programm zur Charakterisierung der Schichten vorgesehen, welches später um eine in-situ Analytik des Prozesses erweitert werden soll. Aus den Versuchsergebnissen soll eine Korrelation zwischen den Laserparametern und den Abscheideparametern der Schichten mit den Kristallisationseigenschaften hergestellt werden. Dabei wird der Kristallisationsgrad und die (Finite Element Method)Simulation berechnet. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur Keimbildung und Wachstumskinetik keramischer Dünnschichten bei der Laser-unterstützten Kristallisation abgeleitet werden. Darüber hinaus wird die Information über die Laserkristallisierten Schichten durch begleitende optische und elektrische Charakterisierung wie Impedanzspektroskopie vervollständigt.