Herstellung und Charakterisierung kristalliner Rubren- und Pentacenfilme in FET-Strukturen

在德国，项目销售了一种超先进的技术体系，并建立了一种新型的技术体系Metalloberflächen。in Hinblick auf den Einsatz in einem organischen feldeeffttransistor (OFET) wollinwals Substrate Metalloberflächen (source and漏极- kontakte) and Isolatoroberflächen (Al2O3, SiO2) verwenden。alternative soll neben den klassischen anorganischen Isolatoren die Eigenschaften einer organischen Isolatorschicht aus längeren Alkanen analyterwerden。(3)有机硅、有机硫醚、有机硅烷、有机隔离器和金属基板操纵器。模具结构特性研究（LEED）和光栅隧道显微实验（STM）、模具结构特性研究（NEXAFS）和紫外光电光谱研究（UPS）。

In diesem Projekt soll das Wachstum ultradünner Pentacenschichten auf einkristallinen Metalloberflächen untersucht werden. Im Hinblick auf den Einsatz in einem organischen Feldeffekttransistor (OFET) wollen wir als Substrate Metalloberflächen (source und drain-Kontakte) und Isolatoroberflächen (Al2O3, SiO2) verwenden. Alternativ soll neben den klassischen anorganischen Isolatoren die Eigenschaften einer organischen Isolatorschicht aus längeren Alkanen analysiert werden. Von besonderem Interesse ist die Frage, inwieweit die Orientierung der Moleküle durch Aufbringen selbstorganisierter Schichten, (SAMs, Organothiole, Organosilane) auf die Isolator- und Metallsubstrate manipuliert werden kann. Die strukturelle Charakterisierung der Pentacenschichten soll mittels Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) erfolgen, die elektronische Struktur soll mittels Röntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS) und Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (UPS) bestimmt werden.