Untersuchung von Verspannungsphänomenen in GaN-Schichten unter Einsatz hochauflösender Röntgendiffraktometrie bei variabler Meßtemperatur

GAN-Ebitaxieschichten unterliegen im Allgmeinen einer erheblichen Verspannung，die sich in komplexer Weise Aus Intrinsischen and Exinsischen Anteilen zusammensetzen kann.从本质上讲，我们不知道怎么做才能做到这一点，但从根本上讲，这是一件很重要的事情，因为这是一件很重要的事情，因为这件事很重要。在此基础上，我们将在未来的一段时间内完成这项工作。在不来梅10双1500K的温度下，死于不来梅，然后死在不来梅的世界上。在Kombination MIT Raumtematur-Messungen an Probenseren，Bebedenen Nur ein Nur ein参数ariert wurde，Sollen zudem verschiedene intrinsische Verspannungsanteile disiert.我们在德国的情况下进行了实验研究，并提出了相应的政策建议。

GaN-Epitaxieschichten unterliegen im allgemeinen einer erheblichen Verspannung, die sich in komplexer Weise aus intrinsischen und extrinsischen Anteilen zusammensetzen kann. Die intrinsischen Anteile können durch vielfältige Ursachen wie die Abscheidung auf stark gitterfehlangepaßten Substraten, die Wachstums- und Ausheizparameter einer Nukleationsschicht, die Koaleszenz von Wachstumsinseln und die damit verbundene Defektstruktur sowie durch den Einbau von Störstellen hervorgerufen werden. Dagegen bildet die durch die unterschiedliche thermische Ausdehnung von Schicht- und Substratmaterial induzierte Verspannung den hauptsächlichen extrinsischen Anteil. Die hochauflösende Röntgendiffraktometrie bei variabler Meßtemperatur, die in Bremen einzigartig über einen Temperaturbereich von 10 bis 1500 K durchgeführt werden kann, soll genutzt werden, um ex- und intrinsische Verspannungsanteile voneinander zu trennen. In Kombination mit Raumtemperatur-Messungen an Probenserien, bei denen nominell nur ein Parameter variiert wurde, sollen zudem verschiedene intrinsische Verspannungsanteile separiert werden. Die experimentellen Daten werden als Grundlage dienen, um Modelle zur konsistenten Beschreibung der Verspannungssituation in GaN-Schichten zu entwickeln, die sowohl von grundlagenphysikalischem als auch bauelementrelevantem praktischem Interesse sind.