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Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen

Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen
III族氮化物的电子和结构性质及其表面和界面的理论研究
批准号:
5372171
负责人:
Professor Dr. Johannes Pollmann
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
1997
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1996-12-31 至 2000-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在此基础上,我们提出了一种新的、定量的理论和方法,即从宏观和微观两个角度出发,从宏观和微观两个角度来分析问题。在这段时间里,我不能接受我的要求,也不能放松自己。Sowohl Volumenkristalle Auch OberfläChen,Adsorbatsystem and Heterostrukturen Dester Materialklasse Sollen Studdiert.第三类-氮化物和异质结构是由技术潜力和世界性集成而成的。Anwendungen Reichen von lichtemittierenden Dioden und Halbleterlasern im Blauen und Ultravietten Spektralbereichüber Hochtematur-,Hochleistungs-and Hochfrezenzbauelemente bis hin zu groüflächigen Display.这是一件非常重要的事情,它将死于经济、经济、社会和社会的发展中,死于经济、社会和社会发展中。
英文摘要
Ziel dieses Forschungsvorhabens ist eine möglichst quantitative Berechnung elektronischer und struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden, ihren Oberflächen und Heterostrukturen im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie sowie im Rahmen der GW Näherung der QuasiteilchenBandstrukturtheorie. Die LDA Rechnungen sollen insbesondere unter Verwendung neuer selbstwechselwirkungs- und relaxationskorrigierter Pseudopotentiale durchgeführt werden. Sowohl Volumenkristalle als auch Oberflächen, Adsorbatsysteme und Heterostrukturen dieser Materialklasse sollen studiert werden. Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen werden aufgrund ihres großen technologischen Potentials derzeit weltweit intensiv untersucht. Die Anwendungen reichen von lichtemittierenden Dioden und Halbleiterlasern im blauen und ultravioletten Spektralbereich über Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochfrequenzbauelemente bis hin zu großflächigen Displays. Für ein grundlegendes Verständnis der Phänomene und eine gezielte Beeinflussung der Prozesse, die in diesem breiten Spektrum von Anwendungen zum Tragen kommen, ist eine möglichst präzise Kenntnis der physikalischen Eigenschaften der recht ionischen Gruppe III-Nitride mit ihrer großen Bandlücke sowie ihrer Oberflächen, Adsorbatsysteme und Heterostrukturen eine unabdingbare Voraussetzung.
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会议论文
Metallisierung von SiC Oberflächen durch Wasserstoff-Adsorption
  • 批准号:
    5454629
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    Professor Dr. Johannes Pollmann
  • 依托单位:
Ab-initio Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke
  • 批准号:
    5196906
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    Professor Dr. Johannes Pollmann
  • 依托单位:
Strukturelle und elektronische Eigenschaften reiner und adsorbatbedeckter Oberflächen von kubischem und hexagonalem Siliziumkarbid
  • 批准号:
    5376184
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    Professor Dr. Johannes Pollmann
  • 依托单位:
海外基金