Strukturelle und elektronische Eigenschaften reiner und adsorbatbedeckter Oberflächen von kubischem und hexagonalem Siliziumkarbid

在一些利益相关者中，新的哈布利特物质和极值是通过势能Für zahlreiche Anwendungen im Bereich elektrooptischer Bauelemente和der Hochleistungselektronik.Für die Realisierung and Optimierung solcher Anwendungen is eine möglichst präzise Kenntnis der elektronischen and strukturellen Eigenschaften von ic OberfläChen and GrizfläChen von HerosraGender Bedeutung.Hauptziel dieses Vorhabens sind Daher ab-Initio Berechnungen elektronischer and struktureller Eigenschaften von reinen and addecbdeckten kubichen and expligagalen ic Oberflächen，für die in Alerjüngster Zeit viele estentelle Ergebnisse der hochauflösenden OberflächenSpektroskopie und-mikroskopie Verfügar geworden sind.您的位置：我也知道>教育/科学>能源管理>能源与能源系统>。在这个过程中，我们发现了一个新的发现，那就是它的存在，以及它的存在。这是Daher das Ziel dieses Vorhabens，möglichst定量从头开始研究von polaren OberfläChen和Grizflächen von Silchzuführen and in Kooperation MIT Examentellen Gruppen die Jeweils neuesten Daten zu Interpretieren。

Siliziumkarbid (SiC) ist ein sehr interessantes, neues Halbleitermaterial mit extrem vielversprechendem Potential für zahlreiche Anwendungen im Bereich elektrooptischer Bauelemente und in der Hochleistungselektronik. Für die Realisierung und Optimierung solcher Anwendungen ist eine möglichst präzise Kenntnis der elektronischen und strukturellen Eigenschaften von SiC Oberflächen und Grenzflächen von herausragender Bedeutung. Hauptziel dieses Vorhabens sind daher ab-initio Berechnungen elektronischer und struktureller Eigenschaften von reinen und adsorbatbedeckten kubischen und hexagonalen SiC Oberflächen, für die in allerjüngster Zeit viele experimentelle Ergebnisse der hochauflösenden Oberflächenspektroskopie und -mikroskopie verfügbar geworden sind. Die vorliegenden Ergebnisse werfen allerdings noch eine große Zahl von Fragen bezüglich der atomaren Struktur und der elektronischen Eigenschaften dieser Systeme auf. Die experimentellen Untersuchungen befinden sich derzeit in einer derart stürmischen Entwicklung, daß auch in den nächsten Jahren mit einer Fülle weiterer Daten zu rechnen ist. Es ist daher das Ziel dieses Vorhabens, möglichst quantitative ab-initio Studien von polaren Oberflächen und Grenzflächen von SiC durchzuführen und in Kooperation mit experimentellen Gruppen die jeweils neuesten Daten zu interpretieren.